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1. WO2004057656 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2004/057656
Date de publication 08.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/015630
Date du dépôt international 05.12.2003
CIB
C23C 16/54 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
54Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/677 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
CPC
C23C 16/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
54Apparatus specially adapted for continuous coating
H01L 21/67109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67109mainly by convection
H01L 21/67161
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67161characterized by the layout of the process chambers
H01L 21/67757
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67739into and out of processing chamber
67757vertical transfer of a batch of workpieces
Déposants
  • HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • ISHITSUKA, Ryuji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAKAGAWA, Naoyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • ISHITSUKA, Ryuji
  • NAKAGAWA, Naoyuki
Mandataires
  • KAJIWARA, Tatuya
Données relatives à la priorité
2002-36760519.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
A batch type CVD device with throughput sufficiently improved. It comprises a wafer transfer device (27) disposed adjacent a waiting chamber (4) where a port (24)waits with respect to a processing chamber (11), a pod opener (40) for opening/closing a pod (P) for transferring a wafer (W), and a wafer transfer device (30) for transferring the wafer (W) disposed in the wafer transfer chamber (27) between a port (24) and the pod (P), wherein a gate valve (29) is interposed between the waiting chamber (4) and the wafer transfer chamber (27), stockers (33A, 33B) are installed in the wafer transfer chamber (27), a shield plate (34) is disposed between the stockers (33A, 33B), and gas blast pipes (35A, 35B) are disposed in the vicinity of the stockers (33A, 33B). The processed wafer carried out of the processing chamber can be forcibly cooled in the wafer transfer chamber, so that the waiting time for cooling the processed wafer can be shortened and the evacuation of the waiting chamber and cancellation thereof can be dispensed with; thus, throughput can be improved.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur du type par lots, qui présente un rendement amélioré. Le dispositif comprend un système (27) de transfert de tranches placé de façon adjacente à une chambre d'attente (4), dans laquelle un point d'accès (24) est en attente par rapport à une chambre de traitement (11) ; un élément (40) d'ouverture de nacelle pour ouvrir/fermer une nacelle (P) afin de transférer une tranche (W) ; et un dispositif (30) de transfert de tranches pour transférer la tranche (W), placée dans la chambre (27) de transfert de tranche, entre le point d'accès (24) et la nacelle (P). Une soupape à tiroir (29) est placée entre la chambre d'attente (4) et la chambre (27) de transfert de tranche. Des éléments (33A, 33B) sont installés dans la chambre (27) de transfert de tranches. Une plaque de protection (34) est placée entre lesdits éléments (33A, 33B), et des tuyaux pneumatiques (35A, 35B) sont placés à proximité de ces éléments (33A, 33B). La tranche traitée, une fois transportée hors de la chambre, peut être refroidie dans la chambre de transfert de tranche, ce qui permet de réduire le temps de refroidissement de la tranche et rend superflus la mise sous vide de la chambre d'attente et sa désactivation, et d'améliorer le rendement.
(JA)
スループットを充分に向上させるバッチ式CVD装置である。処理室(11)に対しボート(24)が待機する待機室(4)に隣接したウエハ移載室(27)と、ウエハ(W)を搬送するポッド(P)開閉するポッドオープナ(40)と、ウエハ移載室(27)に設備されウエハ(W)をボート(24)とポッド(P)間で移載するウエハ移載装置(30)とを備えており、ゲートバルブ(29)が待機室(4)とウエハ移載室(27)間に介設され、ストッカ(33A)、(33B)がウエハ移載室(27)に設置され、遮蔽板(34)がストッカ(33A)と(33B)間に設置され、ガス吹出管(35A)、(35B)がストッカ(33A)と(33B)の近傍に設置されている。処理室から搬出された処理済みのウエハをウエハ移載室で強制冷却できるので、処理済みウエハの冷却待ち時間を短縮でき、かつ、待機室の減圧と解除を省略できるので、スループットを向上できる。
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