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1. WO2004055903 - MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE STRUCTURE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU

Numéro de publication WO/2004/055903
Date de publication 01.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/016082
Date du dépôt international 16.12.2003
CIB
H01L 29/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/737 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
737Transistors à hétérojonction
CPC
H01L 29/0821
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
08with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
0821Collector regions of bipolar transistors
H01L 29/7371
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
Déposants
  • SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • INOUE, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HATA, Masahiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KURITA, Yasuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • INOUE, Akira
  • HATA, Masahiko
  • KURITA, Yasuyuki
Mandataires
  • TAKANO, Masatoshi
Données relatives à la priorité
2002-36454717.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL HAVING BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
(FR) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE STRUCTURE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU
(JA) バイポーラトランジスタ構造を有する半導体材料及びこれを用いた半導体素子
Abrégé
(EN)
An epitaxial substrate (20) having a collector layer (22), a base layer (23) and an emitter layer (24) formed on a semi-insulating GaAs substrate (21) further comprises a hole blocking layer (22C) which is formed in the collector layer (22) for preventing flow-in of holes from the base layer (23). With this structure, a collector current flow is suppressed when the electron speed is saturated due to a rise in the collector current density, thereby preventing a thermal runaway of the collector current without using a ballast resistor or the like. The thermal runaway of the collector current can be also prevented by providing an additional layer (2C) in the collector layer (2) so that an electron barrier is formed in a conduction band with electrons accumulated due to a rise in the collector current density.
(FR)
L'invention concerne un substrat épitaxial (20) comprenant un collecteur (22), une base (23) et un émetteur (24) formés sur un substrat de GaAs semi-isolant (21), comprenant également une couche bloquante à orifices (22C) formée dans le collecteur (22), servant à éviter l'entrée d'orifices de la base (23). Avec cette structure, un courant au collecteur est supprimé lorsque la vitesse électronique est saturée en raison d'un augmentation dans la densité du courant au collecteur, ce qui évite un glissement thermique du courant au collecteur sans utilisation d'une résistance de stabilisation ou analogue. Le glissement thermique du courant au collecteur peut également être évité à l'aide d'une couche supplémentaire (2C) dans le collecteur (2), permettant de former une barrière électronique dans une bande de conduction avec une accumulation d'électrons due à une augmentation dans la densité du courant au collecteur.
(JA)
半絶縁性GaAs基板(21)の上にコレクタ層(22)、ベース層(23)、エミッタ層(24)が形成されているエピタキシャル基板(20)において、コレクタ層(22)内に、ベース層(23)よりのホールの流れ込みを防止するためのホール障壁層(22C)を設け、これにより、コレクタ電流密度が高まって電子の速度が飽和したときに、コレクタ電流の流れを抑え、バラスト抵抗等なしでコレクタ電流の熱暴走を抑制する。又は、コレクタ層(2)内にコレクタ電流密度が上昇したときの電子蓄積による電子の障壁をコンダクションバンドに生じさせるための付加層(2C)を設け、コレクタ電流の熱暴走を抑える。
Également publié en tant que
US2006180833
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