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1. (WO2004055902) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/055902    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/016081
Date de publication : 01.07.2004 Date de dépôt international : 16.12.2003
CIB :
H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-8260 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Akira; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
Mandataire : TAKANO, Masatoshi; Yoshitoku Building 6F, 15-14, Shiba 3-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0014 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-364546 17.12.2002 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME
(FR) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU
(JA) 電子デバイス用半導体材料及びこれを用いた半導体素子
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial substrate having a bipolar transistor structure comprises a collector layer (3), a base layer (4) and an emitter layer (5) on a GaAs substrate (2). The base layer (4) is composed of a lower base layer (41) and an upper base layer (42) having a desired carrier concentration, and a low carrier-concentration layer (43) having a low carrier concentration. The low carrier-concentration layer (43) is formed between the lower base layer (41) and the upper base layer (42), and has a function of ballast. Either of the lower base layer (41) and the upper base layer (42) may be omitted. Electrons pass through the low carrier-concentration layer (43) more easily as the temperature increases, so that the low carrier-concentration layer (43) functions to increase the amplification factor. Consequently, the transistor characteristics can be thermally stabilized.
(FR)L'invention concerne un substrat épitaxial possédant une structure de transistor bipolaire, comprenant un collecteur (3), une base (4) et un émetteur (5) sur un substrat de GaAs (2). La base (4) se compose d'une couche inférieure (41) et d'une couche supérieure (42) ayant une concentration de porteurs désirée, et d'une couche à faible concentration de porteurs (43). Cette couche à faible concentration de porteurs (43) est formée entre la couche inférieure (41) et la couche supérieure (42) de la base (4) et sert de régulateur. La couche inférieure (41) ou la couche supérieure (42) de la base (4) peut ne pas être utilisée. Les électrons traversent la couche à faible concentration de porteurs (43) plus facilement lorsque la température augmente, la couche à faible concentration de porteurs (43) servant à augmenter le facteur d'amplification. Par conséquent, les caractéristiques du transistor peuvent être stabilisées thermiquement.
(JA)GaAs基板(2)の上にコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)を有するバイポーラトランジスタ構造を備えたエピタキシャル基板において、ベース層(4)を所要のキャリア濃度を有する下部ベース層(41)及び上部ベース層(42)と、下部ベース層(41)と上部ベース層(42)との間に設けられてバラスト作用を奏するキャリア濃度の小さい低キャリア濃度層(43)とから構成する。下部ベース層(41)又は上部ベース層(42)のいずれか一方を省略してもよい。低キャリア濃度層(43)の部分では、温度が高い程電子が通過し易くなり、増幅率を上昇させる働きをし、これによりトランジスタ特性の熱的安定性が図られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AU, AZ, BA, BB, BR, BY, BZ, CA, CN, CO, CR, CU, DM, DZ, EC, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, RO, RU, SC, SD, SG, SL, TJ, TM, TN, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)