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1. WO2004055902 - MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU

Numéro de publication WO/2004/055902
Date de publication 01.07.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/016081
Date du dépôt international 16.12.2003
CIB
H01L 29/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/737 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
737Transistors à hétérojonction
CPC
H01L 29/1004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1004Base region of bipolar transistors
H01L 29/7371
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
Déposants
  • SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • INOUE, Akira [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HATA, Masahiko [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • INOUE, Akira
  • HATA, Masahiko
Mandataires
  • TAKANO, Masatoshi
Données relatives à la priorité
2002-36454617.12.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR MATERIAL FOR ELECTRONIC DEVICE AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME
(FR) MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT CE MATERIAU
(JA) 電子デバイス用半導体材料及びこれを用いた半導体素子
Abrégé
(EN)
An epitaxial substrate having a bipolar transistor structure comprises a collector layer (3), a base layer (4) and an emitter layer (5) on a GaAs substrate (2). The base layer (4) is composed of a lower base layer (41) and an upper base layer (42) having a desired carrier concentration, and a low carrier-concentration layer (43) having a low carrier concentration. The low carrier-concentration layer (43) is formed between the lower base layer (41) and the upper base layer (42), and has a function of ballast. Either of the lower base layer (41) and the upper base layer (42) may be omitted. Electrons pass through the low carrier-concentration layer (43) more easily as the temperature increases, so that the low carrier-concentration layer (43) functions to increase the amplification factor. Consequently, the transistor characteristics can be thermally stabilized.
(FR)
L'invention concerne un substrat épitaxial possédant une structure de transistor bipolaire, comprenant un collecteur (3), une base (4) et un émetteur (5) sur un substrat de GaAs (2). La base (4) se compose d'une couche inférieure (41) et d'une couche supérieure (42) ayant une concentration de porteurs désirée, et d'une couche à faible concentration de porteurs (43). Cette couche à faible concentration de porteurs (43) est formée entre la couche inférieure (41) et la couche supérieure (42) de la base (4) et sert de régulateur. La couche inférieure (41) ou la couche supérieure (42) de la base (4) peut ne pas être utilisée. Les électrons traversent la couche à faible concentration de porteurs (43) plus facilement lorsque la température augmente, la couche à faible concentration de porteurs (43) servant à augmenter le facteur d'amplification. Par conséquent, les caractéristiques du transistor peuvent être stabilisées thermiquement.
(JA)
GaAs基板(2)の上にコレクタ層(3)、ベース層(4)及びエミッタ層(5)を有するバイポーラトランジスタ構造を備えたエピタキシャル基板において、ベース層(4)を所要のキャリア濃度を有する下部ベース層(41)及び上部ベース層(42)と、下部ベース層(41)と上部ベース層(42)との間に設けられてバラスト作用を奏するキャリア濃度の小さい低キャリア濃度層(43)とから構成する。下部ベース層(41)又は上部ベース層(42)のいずれか一方を省略してもよい。低キャリア濃度層(43)の部分では、温度が高い程電子が通過し易くなり、増幅率を上昇させる働きをし、これによりトランジスタ特性の熱的安定性が図られる。
Également publié en tant que
US2006249761
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