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1. WO2004054784 - CORRECTIONS D'EXPANSION METTANT EN OEUVRE DES DISTORSIONS HORS DU PLAN SUR UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2004/054784
Date de publication 01.07.2004
N° de la demande internationale PCT/US2003/039448
Date du dépôt international 12.12.2003
CIB
B29C 59/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
59Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
02par des moyens mécaniques, p.ex. par pressage
G03F 7/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
CPC
B29C 59/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
59Surface shaping ; of articles; , e.g. embossing; Apparatus therefor
02by mechanical means, e.g. pressing
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G03F 7/0002
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
G03F 9/00
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
9Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Déposants
  • MOLECULAR IMPRINTS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • NIMMAKAYALA, Pawan, K.
  • SREENIVASAN, Sidlgata, V.
  • CHOI, Byung-Jin
  • CHERALA, Anshuman
Mandataires
  • BROOKS, Kenneth, C.
Données relatives à la priorité
60/433,47713.12.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNIFICATION CORRECTIONS EMPLOYING OUT-OF-PLANE DISTORTIONS ON A SUBSTRATE
(FR) CORRECTIONS D'EXPANSION METTANT EN OEUVRE DES DISTORSIONS HORS DU PLAN SUR UN SUBSTRAT
Abrégé
(EN)
A method of controlling dimensional variations in patterns formed using imprint lithography includes the steps of defining a region on the wafer in which to produce a recorded pattern by depositing liquid material (100), producing a contoured surface in the region by bending the wafer (102), contacting the region on the wafer with a template by haivng a mold on the template conctact the liquid material (104), creating dimensional variations in the original pattern on the mold by bending the template (106), solidifying the liquid material to record a pattern made therein by the mold (108) and separating the mold from the solidified liquid mateiral and returning the wafer to a neutral (i.e., not bent) state (110).
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de commander des variations dimensionnelles dans des motifs formés au moyen de la lithographie par empreinte et comprenant les étapes consistant : à définir une région sur la plaquette dans laquelle on produit un motif enregistré, par dépôt d'un matériau liquide (100) ; à produire une surface à contours dans la région, par pliage de la plaquette (102) ; à mettre en contact la région sur la plaquette avec un gabarit, un moule sur le gabarit venant en contact avec le matériau liquide (104), à créer des variations dimensionnelles dans le motif original sur le moule, par pliage du gabarit (106) ; à solidifier le matériau liquide de manière à enregistrer un motif créé dans celui-ci par le moule (108) ; et à séparer le moule du matériau liquide solidifié et à remettre la plaquette à l'état neutre (c'est-à-dire non plié) (110).
Également publié en tant que
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