(DE) Eine Transistorschaltung umfaßt einen ersten Emitterfolgertransistor (EF1) dessen Emitter mit dem Kollektor eines ersten Stromquellentransistors (SQ1) verbunden ist, wobei die Basis des ersten Emitterfolger-transistors (EF1) einen Eingang (IN) der Schaltung darstellt und die Basis des ersten Stromquellentransistors (SQ1) einen Referenzspannungseingang (REF) darstellt. Die Transistorschaltung umfaßt ferner einen zweiten Emitterfolgertransistor (EF2), dessen Emitter mit dem Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors (SQ2) verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ2) und die Basis des zweiten Stromquellentransistors derart verschaltet sind, daß die Spannung (REF1) an der Basis des zweiten Stromquellentransistors (SQ2) von der Spannung am Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ1) abhängt. Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemäße Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.
(EN) The invention relates to a transistor circuit comprising an emitter-follower transistor (EF1) provided with an emitter that is connected to the collector of a first current source transistor (SQ1), the base of the first emitter-follower transistor (EF1) representing an input (IN) of the circuit and the base of the first current source transistor (SQ1) representing a reference voltage input (REF). Said transistor circuit also comprises a second emitter-follower transistor (EF2) provided with an emitter that is connected to the collector of a second current source transistor (SQ2), the emitter of the first current source transistor (SQ2) and the base of the second current source transistor being interconnected in such a way that the voltage (REF1) applied to the base of the second current source transistor (SQ2) depends on the voltage applied to the emitter of the first current source transistor (SQ1). As an alternative to the cited bipolar transistors, the inventive transistor circuit also comprises correspondingly interconnected field-effect transistors.
(FR) L'invention concerne un circuit à transistors présentant un premier transistor émetteur-suiveur (EF1) dont l'émetteur est raccordé au collecteur d'un premier transistor source de courant (SQ1). La base du premier transistor émetteur-suiveur (EF1) représente une entrée (IN) du circuit et la base du premier transistor source de courant (SQ1) représente une entrée de tension de référence (REF). Ledit circuit à transistors présente en outre un deuxième transistor émetteur-suiveur (EF2), dont l'émetteur est raccordé au collecteur d'un deuxième transistor source de courant (SQ2). L'émetteur du premier transistor source de courant (SQ1) et la base du deuxième transistor source de courant sont connectés de sorte que la tension (REF1) à la base du deuxième transistor source de courant (SQ2) soit fonction de la tension au niveau de l'émetteur du premier transistor source de courant (SQ1). A la place des transistors bipolaires mentionnés, le circuit à transistors selon l'invention peut présenter en outre des transistors à effet de champ connectés de manière appropriée.