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1. WO2004032324 - CIRCUIT A TRANSISTORS

Lien permanent
Numéro de publication WO/2004/032324
Date de publication 15.04.2004
N° de la demande internationale PCT/EP2003/010677
Date du dépôt international 25.09.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.04.2004
CIB
H03F 3/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
50Amplificateurs dans lesquels le signal d'entrée est appliqué - ou le signal de sortie est recueilli - sur une impédance commune aux circuits d'entrée et de sortie de l'élément amplificateur, p.ex. amplificateurs dits "cathodynes"
H03K 19/003 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
003Modifications pour accroître la fiabilité
H03K 19/018 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
018utilisant uniquement des transistors bipolaires
H03K 19/0185 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
0185utilisant uniquement des transistors à effet de champ
CPC
H03F 3/50
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
50Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
H03K 19/00307
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
003Modifications for increasing the reliability ; for protection
00307in bipolar transistor circuits
H03K 19/00315
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
003Modifications for increasing the reliability ; for protection
00315in field-effect transistor circuits
H03K 19/01806
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
018using bipolar transistors only
01806Interface arrangements
H03K 19/018507
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
0185using field effect transistors only
018507Interface arrangements
Déposants
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • SUNDERMEYER, Jan [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SAUERER, Josef [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • SUNDERMEYER, Jan
  • SAUERER, Josef
Mandataires
  • STÖCKELER, Ferdinand
Données relatives à la priorité
102 45 453.127.09.2002DE
102 52 594.312.11.2002DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) TRANSISTORSCHALTUNG
(EN) TRANSISTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT A TRANSISTORS
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Abrégé
(DE)
Eine Transistorschaltung umfaßt einen ersten Emitterfolgertransistor (EF1) dessen Emitter mit dem Kollektor eines ersten Stromquellentransistors (SQ1) verbunden ist, wobei die Basis des ersten Emitterfolger-transistors (EF1) einen Eingang (IN) der Schaltung darstellt und die Basis des ersten Stromquellentransistors (SQ1) einen Referenzspannungseingang (REF) darstellt. Die Transistorschaltung umfaßt ferner einen zweiten Emitterfolgertransistor (EF2), dessen Emitter mit dem Kollektor eines zweiten Stromquellentransistors (SQ2) verbunden ist, wobei der Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ2) und die Basis des zweiten Stromquellentransistors derart verschaltet sind, daß die Spannung (REF1) an der Basis des zweiten Stromquellentransistors (SQ2) von der Spannung am Emitter des ersten Stromquellentransistors (SQ1) abhängt. Alternativ zu den genannten Bipolartransistoren kann die erfindungsgemäße Transistorschaltung ferner entsprechend verschaltete Feldeffekttransistoren aufweisen.
(EN)
The invention relates to a transistor circuit comprising an emitter-follower transistor (EF1) provided with an emitter that is connected to the collector of a first current source transistor (SQ1), the base of the first emitter-follower transistor (EF1) representing an input (IN) of the circuit and the base of the first current source transistor (SQ1) representing a reference voltage input (REF). Said transistor circuit also comprises a second emitter-follower transistor (EF2) provided with an emitter that is connected to the collector of a second current source transistor (SQ2), the emitter of the first current source transistor (SQ2) and the base of the second current source transistor being interconnected in such a way that the voltage (REF1) applied to the base of the second current source transistor (SQ2) depends on the voltage applied to the emitter of the first current source transistor (SQ1). As an alternative to the cited bipolar transistors, the inventive transistor circuit also comprises correspondingly interconnected field-effect transistors.
(FR)
L'invention concerne un circuit à transistors présentant un premier transistor émetteur-suiveur (EF1) dont l'émetteur est raccordé au collecteur d'un premier transistor source de courant (SQ1). La base du premier transistor émetteur-suiveur (EF1) représente une entrée (IN) du circuit et la base du premier transistor source de courant (SQ1) représente une entrée de tension de référence (REF). Ledit circuit à transistors présente en outre un deuxième transistor émetteur-suiveur (EF2), dont l'émetteur est raccordé au collecteur d'un deuxième transistor source de courant (SQ2). L'émetteur du premier transistor source de courant (SQ1) et la base du deuxième transistor source de courant sont connectés de sorte que la tension (REF1) à la base du deuxième transistor source de courant (SQ2) soit fonction de la tension au niveau de l'émetteur du premier transistor source de courant (SQ1). A la place des transistors bipolaires mentionnés, le circuit à transistors selon l'invention peut présenter en outre des transistors à effet de champ connectés de manière appropriée.
Également publié en tant que
DE000010252594
EP1543618
AU2003267410
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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