(EN) A vertical insulated gate field effect power transistor (3) has a plurality of parallel transistor cells (TC3) with a peripheral gate structure (G31, G2) at the boundary between each two transistor cells (TC3). The gate structure (G31, G32) comprises first (G31) and second (G32) gates isolated from each other so as to be independently operable. The first gate (G31) is a trench-gate (21, 22), and the second gate (G32) has at least an insulated planar gate portion (13, 14). Simultaneous operation of the first (G31) and second (G32) gates forms a conduction channel (23c, 23b) between source (16) and drain (12) regions of the device (3). The device (3) has on-state resistance approaching that of a trench-gate device, better switching performance than a DMOS device, and a better safe operating area than a trench-gate device. The device (3) may be a high side power transistor is series with a low side power transistor (6) in a circuit arrangement (50) (Figure 14) for supplying a regulated output voltage. The device (3) may also be a switch in a circuit arrangement (60) (Figure 15) for supplying current to a load (L). These circuit arrangements (50, 60) include a terminal (Vcc, VF) for applying a supplied fixed potential to an electrode (G311) for the first gates (G31) and a gate driver circuit (573, 673) for applying modulating potential to an electrode (G321) for the second gates (G32).
(FR) Cette invention concerne un transistor (3) de puissance à effet de champ à grille isolée vertical comportant une pluralité de cellules de transistor (TC3) parallèles et une structure de grilles (G31, G32) périphérique au niveau de la limite séparant chaque paire de cellules de transistor (TC3). Cette structure de grilles (G31, G32) comprend une première (G31) et une seconde (G32) grille isolées l'une de l'autre de manière qu'elles puissent fonctionner indépendamment l'une de l'autre. La première grille (G31) est une grille de tranchée (21, 22) et la seconde grille (G32) comprend au moins une partie (13, 14) de grille plate isolée. Le fonctionnement simultané de la première (G31) et de la seconde (G32) grille entraîne la formation d'un canal de conduction (23c, 23b) dans la région du corps (23) présentant un seul type de conductivité entre la région source (16) et la région drain (12) du dispositif (3). Le dispositif (3) présente une résistance à l'état passant proche de celle d'un dispositif à grille de tranchée, des performances de commutation meilleures que celles d'un dispositif MOS à double diffusion ainsi qu'une zone de fonctionnement protégée meilleure que celle d'un dispositif à grille de tranchée. Ce dispositif (3) peut être un transistor de puissance haute pression relié en série à un transistor de puissance basse pression (6) dans un circuit (50) servant à produire une tension de sortie régulée. Le dispositif (3) peut également être un commutateur placé dans un circuit (60) servant à alimenter une charge (L) en courant. Ces circuits (50, 60) comprennent un terminal (Vcc, VF) servant à appliquer un potentiel fixe produit à une électrode (G311) pour les premières grilles (G31) et un circuit de commande de grille (573, 673) servant à appliquer un potentiel variable à une électrode (G321) pour les deuxièmes grilles (G32).