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1. WO2004027107 - MECANISME DE MASQUAGE DESTINE A UN DISPOSITIF DE FORMATION DE FILMS

Numéro de publication WO/2004/027107
Date de publication 01.04.2004
N° de la demande internationale PCT/JP2003/011950
Date du dépôt international 19.09.2003
CIB
C23C 14/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
CPC
C23C 14/044
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
042using masks
044using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
Déposants
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KOINUMA, Hideomi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • YAMAMOTO, Yukio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • MATSUMOTO, Yuji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • TAKAHASHI, Ryota [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KOINUMA, Hideomi
  • YAMAMOTO, Yukio
  • MATSUMOTO, Yuji
  • TAKAHASHI, Ryota
Mandataires
  • HIRAYAMA, Kazuyuki
Données relatives à la priorité
2002-27536520.09.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MASKING MECHANISM FOR FILM-FORMING DEVICE
(FR) MECANISME DE MASQUAGE DESTINE A UN DISPOSITIF DE FORMATION DE FILMS
(JA) 成膜装置用マスキング機構
Abrégé
(EN)
A masking mechanism for a film forming device, comprising a mask (11) having a first signal acting edge (11a), a second signal acting edge (11b), and a third signal acting edge (11c) and a drive device for moving the mask (11) in a uniaxial direction (A) relative to a substrate (12), wherein three-component thin-films having film thickness gradient directions equally spaced by 120°are overlapped on each other by depositing deposited substances for the edges in a same substrate area while the mask (11) is being moved at a specified speed in the uniaxial direction (A) to form a thin-film (13) with a ternary phase diagram.
(FR)
L'invention concerne un mécanisme de masquage destiné à un dispositif de formation de films et comprenant un masque (11), possédant un premier bord agissant comme signal (11a), un deuxième bord agissant comme signal (11b) et un troisième bord agissant comme signal (11c), ainsi qu'un dispositif d'entraînement permettant de déplacer le masque (11) dans un sens uniaxial (A) par rapport à un substrat (12), des films minces à trois composants possédant des directions du gradient d'épaisseur de film espacés de manière égale de 120° se chevauchant les uns sur les autres, par dépôt de substances déposées pour les bords dans une même zone du substrat, pendant que le masque (11) est déplacé à une vitesse spécifiée dans le sens uniaxial (A), de manière à former un film mince (13) avec un diagramme ternaire de phases.
(JA)
エッジ法線ベクトルが互いに120°をなす、第一のシングル作用エッジ(11a)、第二のシングル作用エッジ(11b)及び第三のシングル作用エッジ(11c)を有するマスク(11)と、マスク(11)を基板(12)に対して一軸方向(A)に移動させる駆動装置とからなり、同一の基板領域にエッジ毎に蒸着物質を変えて、マスク(11)を一軸方向(A)に一定速度で移動しながら蒸着することにより、膜厚勾配方向が互いに120°をなす三成分薄膜を重畳して三元系相図薄膜(13)を形成する。
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