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1. WO2004000718 - PONTS POUR STRUCTURES MICRO-ELECTRO-MECANIQUES

Numéro de publication WO/2004/000718
Date de publication 31.12.2003
N° de la demande internationale PCT/US2003/018306
Date du dépôt international 10.06.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 20.11.2003
CIB
B81B 7/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7Systèmes à microstructure
H01L 23/522 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/66 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64Dispositions relatives à l'impédance
66Adaptations pour la haute fréquence
CPC
B81B 7/0006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0006Interconnects
B81B 7/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
02containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/5221
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5221Crossover interconnections
H01L 23/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for ; , e.g. in combination with batteries
64Impedance arrangements
66High-frequency adaptations
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • MA, Qing
  • CHOU, Tsung-Kuan
Mandataires
  • TROP, Timothy, N.
Données relatives à la priorité
10/174,93519.06.2002US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BRIDGES FOR MICROELECTROMECHANICAL STRUCTURES
(FR) PONTS POUR STRUCTURES MICRO-ELECTRO-MECANIQUES
Abrégé
(EN) A conductive bridge (16) in a second conductive layer may be utilized to join a pair of spaced apart conductive strips (12) in a first conductive layer. A gap (44) between the first and second strips (12) may be bridged by the bridge (16) while isolating both the 5 first and second strips (12) and the bridge (16) itself from another conductor (18) which extends through the gap (44) between the first and second strips (12).
(FR) Un pont conducteur (16) formé dans une seconde couche conductrice peut être utilisé pour raccorder une paire de bandes conductrices espacées (12) dans une première couche conductrice. Il est possible de disposer ledit pont (16) au-dessus d'un espace (44) existant entre la première et la seconde bande (12) tout en isolant à la fois la première et la seconde bande (12) et le pont (16) lui-même d'un autre conducteur (18) qui s'étend à travers ledit espace (44) entre la première et la seconde bande (12).
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