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1. WO2003107386 - SURFACE PHOTOELECTRIQUE A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT, ET TUBE PHOTODETECTEUR UTILISANT CETTE SURFACE PHOTOELECTRIQUE A SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2003/107386
Date de publication 24.12.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2003/006361
Date du dépôt international 21.05.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.05.2003
CIB
H01J 1/34 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
34Cathodes photo-émissives
H01J 9/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
12des cathodes photo-émissives; des électrodes à émission secondaire
H01J 40/06 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
40Tubes à décharge photo-électrique n'impliquant pas l'ionisation d'un gaz
02Détails
04Electrodes
06Cathodes photo-émissives
H01J 43/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
43Tubes à émission secondaire; Tubes multiplicateurs d'électrons
04Multiplicateurs d'électrons
06Dispositions d'électrodes
08Dispositions de cathodes
CPC
H01J 1/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
34Photo-emissive cathodes
H01J 40/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
40Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
02Details
04Electrodes
06Photo-emissive cathodes
H01J 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
43Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
04Electron multipliers
06Electrode arrangements
08Cathode arrangements
H01J 9/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9Apparatus or processes specially adapted for the manufacture ; , installation, removal, maintenance; of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02Manufacture of electrodes or electrode systems
12of photo-emissive cathodes; of secondary-emission electrodes
Déposants
  • HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KOHNO, Yasuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • NAGAI, Toshimitsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HASEGAWA, Yutaka [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KOHNO, Yasuyuki
  • NAGAI, Toshimitsu
  • HASEGAWA, Yutaka
Mandataires
  • HASEGAWA, Yoshiki
Données relatives à la priorité
2002/14656721.05.2002JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC SURFACE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHOTODETECTING TUBE USING SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC SURFACE
(FR) SURFACE PHOTOELECTRIQUE A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT, ET TUBE PHOTODETECTEUR UTILISANT CETTE SURFACE PHOTOELECTRIQUE A SEMICONDUCTEUR
Abrégé
(EN) A semiconductor photoelectric surface comprises a support substrate (10), a photoelectric surface (30) which is formed by forming multiple semiconductor layers on the support substrate (10), and emits photoelectrons from a photoelectron emitting surface (341) in response to an incident beam for detection, and a film metal electrode (35) which is formed into a film so as to cover at least partially the support substrate (10) and partially the photoelectric surface (30) and is in ohmic contact with the photoelectric surface. The film metal electrode (35) contains titanium. The photoelectron emitting surface (341) which is not covered with the film metal electrode (35) and is an exposed surface of the photoelectric surface (30) has a negative electron affinity.
(FR) L'invention concerne une surface photoélectrique à semi-conducteur qui comprend un substrat de support (10), une surface photoélectrique (30) obtenue par la formation de multiples couches semi-conductrices sur le substrat de support (10) et qui émet des photoélectrons depuis une surface d'émission de photoélectrons (341) en réponse à un faisceau incident de détection, et enfin, une électrode à film métallique (35) constituée d'un film qui lui permet de recouvrir au moins une partie du substrat de support (10) et une partie de la surface photoélectrique (30) ; cette électrode étant en contact ohmique avec la surface photoélectrique. L'électrode à film métallique (35) contient du titane. La surface d'émission de photoélectrons (341), qui n'est pas recouverte de l'électrode à film métallique (35) et qui forme une surface exposée de la surface photoélectrique (30), présente une affinité pour les électrons négatifs.
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