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1. WO2003107350 - MEMOIRE MAGNETORESISTIVE A ACCES ALEATOIRE PRESENTANT UN CHAMP DE COMMUTATION REDUIT

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Numéro de publication WO/2003/107350
Date de publication 24.12.2003
N° de la demande internationale PCT/US2003/017522
Date du dépôt international 04.06.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 08.01.2004
CIB
G11C 11/15 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
H01L 27/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
Déposants
  • MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US]/[US]
Inventeurs
  • ENGEL, Bradley, N.
  • JANESKY, Jason, Allen
  • RIZZO, Nicholas, D.
Mandataires
  • KOCH, William, E.,
Données relatives à la priorité
10/173,90718.06.2002US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH REDUCED SWITCHING FIELD
(FR) MEMOIRE MAGNETORESISTIVE A ACCES ALEATOIRE PRESENTANT UN CHAMP DE COMMUTATION REDUIT
front page image
Abrégé
(EN) A magnetoresistive tunneling junction memory cell (10) comprising a pinned ferromagnetic region (17) having a magnetic moment vector (47) fixed in a preferred direction in the absence of an applied magnetic field wherein the pinned ferromagnetic region has a magnetic fringing field (96), an electrically insulating material positioned on the pinned ferromagnetic region to form a magnetoresistive tunneling junction (16), and a free ferromagnetic region (15) having a magnetic moment vector (53) oriented in a position parallel or anti-parallel to that of the pinned ferromagnetic region wherein the magnetic fringing field is chosen to obtain a desired switching field.
(FR) L'invention concerne une cellule mémoire à jonction par effet de tunnel magnétorésistive (10), qui comprend une région ferromagnétique verrouillée (17) présentant un vecteur à moment magnétique (47) fixé dans un sens préféré en l'absence d'application d'un champ magnétique. La région ferromagnétique verrouillée comprend un champ magnétique avec frange (96); un matériau d'isolation électrique placé dans la région ferromagnétique verrouillée pour former une jonction par effet de tunnel magnétorésistive (16); et une région ferromagnétique libre (15) présentant un vecteur à moment magnétique (53) orienté dans une position paralléle ou non parallèle à celle de la région ferromagnétique verrouillée, le champ magnétique avec frange étant choisi pour obtenir un champ de commutation désiré.
Documents de brevet associés
US6633498
EP1527455
CN1729537
AU2003240521
JP2005530340
KR1020050013215
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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