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1. WO2003105213 - PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2003/105213
Date de publication 18.12.2003
N° de la demande internationale PCT/IB2003/002292
Date du dépôt international 21.05.2003
CIB
H01L 21/56 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 23/31 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
H01L 23/495 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
495Cadres conducteurs
CPC
H01L 21/563
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
563Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
H01L 2221/68359
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68359used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers
H01L 2221/68363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2221Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
68304using temporarily an auxiliary support
68363used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
H01L 2224/05571
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
0556Disposition
05571the external layer being disposed in a recess of the surface
H01L 2224/05573
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
05573Single external layer
H01L 2224/16245
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16151the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
16221the body and the item being stacked
16245the item being metallic
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • VAN KEMPEN, Johannes, M., A., M. [NL]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • VAN KEMPEN, Johannes, M., A., M.
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.
Données relatives à la priorité
02077228.107.06.2002EP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Abrégé
(EN) The method of manufacturing an electronic device (10) comprises the step of attaching an electric element (1) provided with connection regions (2) to a carrier (4) provided with a number of connection conductors (5A, 5B, 5C) by means of an electrically conducting connection (3) that is preferably of metal. Before the element (1) is attached to the carrier (4), a continuous electrically insulating layer (7A) is provided on the carrier (4), after which, during attachment of the element (1), the connection (3) is formed through the continuous insulating layer (7A). The thickness of the continuous insulating layer (7A) is preferably chosen to be such that during attachment of the element (1) onto the carrier (4), the space between the element (1) and the carrier (4) is filled completely. Subsequently, the remaining portion (7B) of the encapsulation (7) is provided.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électronique (10) qui comprend les étapes consistant à fixer un élément électrique (1) doté de zones de connexion (2) à un support (4) équipé d'un certain nombre de conducteurs de connexion (5A, 5B, 5C) au moyen d'une connexion conductrice sur le plan électrique (3), de préférence, en métal. Avant la fixation de l'élément (1) au support (4), une couche continue électriquement isolante (7A) est placée sur le support (4), puis, au cours de la fixation de l'élément (1), la connexion (3) est formée à travers la couche isolante continue (7A). L'épaisseur de la couche isolante continue (7A) est, de préférence, choisie de manière à ce qu'au cours de la fixation de l'élément (1) sur le support (4), l'espace entre l'élément (1) et le support (4) soit complètement rempli. On réalise ensuite la partie restante (7B) de l'encapsulation (7).
Documents de brevet associés
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