(DE) Eine Photodiode umfasst neben einem Halbleitersubstrat (12) und einem photoempfindlichen Bereich (18, 24) in dem Halbleitersubstrat, der einen Raumladungszonenbereich (18) zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils und einen Diffusionsbereich (24) zum Erzeugen eines Diffusionsstromanteils aufweist, eine Isolationseinrichtung (20) in dem Halbleitersubstrat zum zumindest teilweisen Eingrenzen des Diffusionsbereichs gegenüber einem angrenzenden Umgebungsbereich des Halbleitersubstrats. Die Verringerung der Bandbreite von Photodioden durch das Verschmieren der Antwort der Photodiode durch den Diffusionsstrom wird dadurch gemindert, dass eine Isolationseinrichtung in dem Halbleitersubstrat vorgesehen wird, welchen den Diffusionsbereich gegenüber dem umgebenden Halbleitersubstrat eingrenzt und hierdurch einerseits die Anzahl von zum Diffusionsanteil beitragenden Ladungsträgern dadurch verringert, dass der Diffusionsbereich, in welchem die diffundierenden Ladungsträger erzeugt werden, verringert wird, und andererseits dadurch, dass in dem verkleinerten Diffusionsbereich erzeugte diffundierende Ladungsträger durch die Isolationseinrichtung 'abgesaugt' werden, weshalb dieselben nicht zum Photostrom beitragen.
(EN) Disclosed is a photodiode comprising a semiconductor substrate (12) that is provided with a photosensitive area (18, 24) which encompasses a space charge region (18) generating a portion of a diffusion current and a diffusion region (24) generating another portion of a diffusion current, and an insulating device (20) which at least partly delimits the diffusion region relative to an adjacent surrounding area of the semiconductor substrate. In order to lower the reduction in the photodiode bandwidth caused by the diffusion current blurring the response of the photodiode, the semiconductor substrate is provided with an insulating device which delimits the diffusion region relative to the surrounding semiconductor substrate, thereby reducing the number of charge carriers that contribute to the diffusion rate because the diffusion region in which the diffusing charge carriers are produced is reduced and because the diffusing charge carriers produced in the reduced diffusion region are sucked up by the insulating device such that said diffusing charge carriers do not contribute to the photocurrent.
(FR) L'invention concerne une photodiode qui comprend, en plus d'un substrat semi-conducteur (12) et d'une région photosensible (18, 24) de ce substrat semi-conducteur, laquelle présente une région de zone de charge d'espace (18) pour produire une composante de courant de diffusion et une région de diffusion (24) pour produire une composante de courant de diffusion, un dispositif d'isolation (20) situé dans le substrat semi-conducteur pour délimiter au moins partiellement la région de diffusion par rapport à une région environnante adjacente du substrat semi-conducteur. La diminution de la largeur de bande de photodiode par blocage de la réponse de la photodiode par le courant de diffusion est réduite par le fait qu'un dispositif d'isolation placé dans le substrat semi-conducteur délimite la zone de diffusion par rapport au substrat semi-conducteur environnant et ainsi réduit le nombre des porteurs de charge contribuant à la composante de diffusion d'une part par le fait que la région de diffusion, dans laquelle les porteurs de charge diffusant sont produits, est réduite, et d'autre part par le fait que des porteurs de charge diffusant produits dans la région de diffusion réduite sont « absorbés » par le dispositif d'isolation, raison pour laquelle ces porteurs de charge ne contribuent pas au courant photoélectrique.
