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1. (WO2003090270) PROCEDE DE RETRAIT DE RESIDUS DE PHOTORESINE ET DE MORDANÇAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090270    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/000032
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 17.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.11.2003    
CIB :
B31D 3/00 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
BALASUBRAMANIAM, Vaidyanathan [IN/US]; (US) (US Seulement).
HAGIWARA, Masaaki [JP/US]; (US) (US Seulement).
NISHIMURA, Eiichi [JP/US]; (US) (US Seulement).
INAZAWA, Kouichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : BALASUBRAMANIAM, Vaidyanathan; (US).
HAGIWARA, Masaaki; (US).
NISHIMURA, Eiichi; (US).
INAZAWA, Kouichiro; (JP)
Mandataire : CASEY, Michael, R.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Données relatives à la priorité :
60/372,446 16.04.2002 US
10/259,768 30.09.2002 US
Titre (EN) METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST AND ETCH RESIDUES
(FR) PROCEDE DE RETRAIT DE RESIDUS DE PHOTORESINE ET DE MORDANÇAGE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for plasma ashing to remove photoresist remnants and etch residues that are formed during preceding plasma etching of dielectric layers The ashing method uses a two-step plasma process involving and oxygen-containing gas, where low or zero bias is applied to the substrate in the first cleaning step to remove significant amount of photoresist remnants and etch resideus from the substrate, in addition to etching and removing detrimental fluoro-carbon residues from the chamber surfaces. An increased bias is applied to the substrate in the second cleaning step to remove the remains of the photoresist and etch residues from the substrate. The two step process reduces the memory effect commonly observed in conventional one-step ashing processes. A method of endpoint detection can be used to monitor the ashing process.
(FR)L'invention porte sur un procédé de polissage humide au plasma afin d'ôter les restes de photorésine et les résidus de mordançage qui se sont formés au cours du précédent mordançage au plasma de couches diélectriques. Le procédé de mordançage utilise un procédé au plasma en deux étapes impliquant l'utilisation d'un gaz contenant de l'oxygène, un biais faible ou égal à zéro étant appliqué sur le substrat au cours de la première étape de nettoyage afin d'ôter la quantité significative de restes de photorésine et de résidus de mordançage du substrat, en plus du mordançage et du retrait de résidus de fluorocarbone nuisibles des surfaces de la chambre. Un biais augmenté est appliqué sur le substrat au cours de la deuxième étape de nettoyage afin d'ôter les restes de photorésine et les résidus de mordançage du substrat. Le procédé en deux étapes permet de réduire l'effet mémoire généralement observé dans les procédés de polissage humide en une étape. Un procédé de détection de point de virage peut servir à surveiller le procédé de polissage humide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)