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1. (WO2003090245) DISPOSITIF A DIODES A VIDE THERMOELECTRONIQUE A ELECTRODES REGLABLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/090245    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/007015
Date de publication : 30.10.2003 Date de dépôt international : 06.03.2003
CIB :
H01J 17/30 (2006.01)
Déposants : BOREALIS TECHNICAL LIMITED [US/US]; 23545 NW Skyline Blvd, North Plains, OR 97133-9205 (US) (Tous Sauf US).
TAVKHELIDZE, Avto [GE/GE]; (GI) (US Seulement).
TALIASHVILI, Zaza [GE/GE]; (GI) (US Seulement)
Inventeurs : TAVKHELIDZE, Avto; (GI).
TALIASHVILI, Zaza; (GI)
Données relatives à la priorité :
60/362,494 06.03.2002 US
60/373,508 17.04.2002 US
10/234,498 03.09.2002 US
Titre (EN) THERMIONIC VACUUM DIODE DEVICE WITH ADJUSTABLE ELECTRODES
(FR) DISPOSITIF A DIODES A VIDE THERMOELECTRONIQUE A ELECTRODES REGLABLES
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with one embodiment of the present invention, a Gap Diode is disclosed in which a tubular actuating element serves as both a housing for a pair of electrodes (92) and as a means for controlling the separation between the electrode pair. In a preferred embodiment, the tubular actuating element (90) is a quartz piezo-electric tube. In accordance with another embodiment of the present invention, a Gap Diode is disclosed which is fabricated by micromachining techniques in which the separation of the electrodes (202, 206) is controlled by piezo-electric, electrostrictive or magnetostrictive actuators. Preferred embodiments of Gap Diodes include Cool Chips, Power Chips, and photoelectric converters.
(FR)Selon un mode de réalisation de cette invention, une diode d'interstice dans laquelle un élément de commande tubulaire sert à la fois de logement pour une paire d'électrodes (92) et d'organe de commande de la séparation entre cette paire d'électrodes. Dans un mode de réalisation préféré, l'élément de commande tubulaire (90) consiste en un tube piézo-électrique de quartz. Selon un autre mode de réalisation de cette invention, une diode d'interstice est fabriquée au moyen de techniques de micro-usinage dans lesquelles la séparation des électrodes (202, 206) est commandée par des actionneurs piézo-électriques électrostrictifs ou magnétostrictifs. Parmi les modes de réalisation préférés des diodes d'interstice, on compte, entre autres, des puces de refroidissement, des puces de puissance et des convertisseurs photoélectriques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)