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1. (WO2003085716) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA ET DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085716    N° de la demande internationale :    PCT/JP2003/004410
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 07.04.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.10.2003    
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8001 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUYAMA, Shoichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONDA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASEKI, Kazuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HAYASHI, Hisataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUYAMA, Shoichiro; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP).
NAGASEKI, Kazuya; (JP).
HAYASHI, Hisataka; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2002-105249 08.04.2002 JP
Titre (EN) PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING DEVICE
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA ET DISPOSITIF DE GRAVURE AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma etching method characterized in that it comprises an arrangement step of arranging a pair of electrodes in a chamber, placing a substrate to be processed and having a silicon film and an inorganic material film adjacently between the electrodes, and allowing one of the electrodes to support the substrate and an etching step of applying a high-frequency power to at least one of the electrodes to produce a high-frequency electric field between the pair of electrodes, supplying a process gas into the chamber to produce a plasma of the process gas by the electric field, and plasma-etching the silicon film of the substrate by the plasma, and that in the etching step, the frequency of the high-frequency power applied to at least one of the electrodes is in the range from 50 to 150 MHz.
(FR)Un procédé de gravure au plasma se caractérise en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on met en place une paire d'électrodes dans une chambre, on place entre les électrodes un substrat devant être traité, ledit substrat comportant un film de silicium et un film de matière inorganique et on laisse une des électrodes supporter le substrat, puis on effectue la gravure par application d'une puissance haute fréquence sur au moins une des électrodes pour produire un champ électrique haute fréquence entre la paire d'électrodes, on envoie un gaz de traitement dans la chambre pour produire un plasma du gaz de traitement du fait du champ électrique, et on grave au plasma le film de silicium du substrat au moyen du plasma. Le procédé se caractérise en ce que dans l'étape de gravure, la fréquence de la puissance haute fréquence appliquée sur au moins une des électrodes se situe dans la plage comprise entre 50 et 150 MHz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)