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1. (WO2003085448) PROCEDE DE FABRICATION D'UN PANNEAU DE RESEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/085448    N° de la demande internationale :    PCT/KR2002/001773
Date de publication : 16.10.2003 Date de dépôt international : 18.09.2002
CIB :
G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01)
Déposants : SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 (KR) (Tous Sauf US).
YOON, Joo-Sun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Bong-Ju [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
TAE, Seung-Gyu [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Hyun-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOON, Joo-Sun; (KR).
KIM, Bong-Ju; (KR).
TAE, Seung-Gyu; (KR).
KIM, Hyun-Young; (KR)
Mandataire : YOU ME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg., 825-33, Yoksam-dong, Kangnam-ku, 135-080 Seoul (KR)
Données relatives à la priorité :
2002/18506 04.04.2002 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DISPLAY DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN PANNEAU DE RESEAU DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abrégé : front page image
(EN)A gate wire including gate lines, gate electrodes, and gate pads and extending in a transverse direction is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed thereafter, and a semiconductor layer and an ohmic contact layer are sequentially formed thereon. A conductive material is deposited and patterned to form a data wire inducing data lines intersecting the gate lines, source electrodes, drain electrodes, and data pads. A protective layer made of silicon nitride is deposited on the substrate, and an organic insulating layer made of a photosensitive organic insulating material is coated on the protective layer. The organic insulating layer is patterned to form an unevenness pattern on its surface and first contact holes exposing the protective layer opposite the drain electrodes. Subsequently, the surface of the organic insulating layer is treated using inactive gas such as Ar, and then the protective layer is patterned together with the gate insulating layer by photo etch using a photoresist pattern to form contact holes respectively exposing the drain electrodes, the gate pads, and the data pads. Next, indium−tin−oxide or indium−zinc−oxide is deposited and patterned to form transparent electrodes, subsidiary gate pads, and subsidiary data pads respectively connected to the drain electrodes, the gate pads and the data pads. Finally, a reflective conductive material is deposited and patterned to form reflecting films having respective apertures in the pixel area on the transparent electrodes.
(FR)L'invention concerne un fil de grille comprenant des lignes de grille, des électrodes de grille, et des plages de grille. Ce fil de grille s'étend dans une direction transversale et est formé sur un substrat. Ensuite, une couche d'isolation de grille est formée. Une couche semi-conductrice et une couche de contact ohmique sont séquentiellement formées sur la couche d'isolation. Une matière conductrice est déposée et on y forme des motifs pour former un fil de données comprenant des lignes de données coupant les lignes de grille, les électrodes de source, les électrodes de drain, et les plages de données. Une couche de protection constituée de nitrure de silicium est déposée sur le substrat, et une couche d'isolation organique constituée d'une matière d'isolation organique photosensible est appliquée sur la couche de protection. On forme des motifs sur la couche d'isolation organique pour former un motif d'irrégularités sur sa surface, et les premiers trous de contact exposent la couche de protection faisant face aux électrodes de drain. Ensuite, la surface de la couche d'isolation organique est traitée en faisant appel à un gaz inerte, notamment Ar, puis on forme des motifs sur la couche de protection ainsi que sur la couche d'isolation de grille par photogravure, en faisant appel à un motif de photoresist pour former des trous de contact, exposant respectivement les électrodes de drain, les plages de grille, et les plages de données. Puis, de l'oxyde d'étain et d'indium ou de l'oxyde de zinc et d'indium est déposé, et des motifs sont formés dans ces oxydes pour former des électrodes transparentes, des plages de grille auxiliaires, et des plages de données auxiliaires reliées respectivement aux électrodes de drain, aux plages de grille et aux plages de données. Enfin, une matière conductrice réfléchissante est déposée, et on forme des motifs sur cette matière pour former des films réfléchissants présentant des ouvertures dans une zone de pixels sur des électrodes transparentes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)