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1. (WO2003083942) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES COMPOSANTS INTEGRES DANS UNE COUCHE DE DIAMANT DISPOSEE SUR SON COTE ARRIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083942    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/008592
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 19.03.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.08.2003    
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : SEARLS, Damion; (US).
DUJARI, Prateek; (US).
LIAN, Bin; (US)
Mandataire : MALLIE, Michael J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman, LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/109,143 26.03.2002 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPONENTS EMBEDDED IN BACKSIDE DIAMOND LAYER
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES COMPOSANTS INTEGRES DANS UNE COUCHE DE DIAMANT DISPOSEE SUR SON COTE ARRIERE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor substrate with integrated circuit devices on its front side and a high thermal conductivity layer such as diamond on its back side, with components such as capacitors embedded in the high thermal conductivity layer and coupled to the front side integrated circuits with vias through the substrate.
(FR)L'invention concerne un substrat semi-conducteur comprenant des dispositifs à circuits intégrés sur son côté avant et une couche à haute conductivité thermique, telle qu'un diamant sur son côté arrière, ainsi que des composants, tels que des capacités, intégrés dans la couche à haute conductivité thermique et couplés aux circuits intégrés du côté avant à l'aide de trous d'interconnexion pratiqués dans le substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)