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1. (WO2003083568) MODULATEURS ELECTRO-OPTIQUES COMPORTANT DES POINTS QUANTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/083568    N° de la demande internationale :    PCT/GB2003/001361
Date de publication : 09.10.2003 Date de dépôt international : 27.03.2003
CIB :
G02F 1/017 (2006.01), G02F 1/225 (2006.01)
Déposants : BOOKHAM TECHNOLOGY PLC [GB/GB]; 90 Milton Park Abingdon Oxon OX14 4RY (GB) (Tous Sauf US).
ZAKHLENIUK, Nickolay [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HOLDEN, Anthony, James [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : ZAKHLENIUK, Nickolay; (GB).
HOLDEN, Anthony, James; (GB)
Mandataire : DOWNING, Michael, Philip; Fry Heath & Spence LLP The Gables Massetts Road Horley Surrey RH6 7DQ (GB)
Données relatives à la priorité :
0207166.0 27.03.2002 GB
Titre (EN) ELECTRO-OPTIC MODULATORS INCORPORATING QUANTUM DOTS
(FR) MODULATEURS ELECTRO-OPTIQUES COMPORTANT DES POINTS QUANTIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A modulator is formed of a semiconductor material which utilises the electro-optic effect to achieve a change in the refractive index &Dgr;n of the material under the influence of an applied electrical field F (251), in accordance with the equation: &Dgr;n = -1/2 n03 [rF + sF2] ≡ &Dgr;nL+ &Dgr;nQ where n0 is the refractive index of the material at zero field, and &Dgr;nL and &Dgr;nQ are the linear and quadratic contributions to the change in refractive index respectively, r is the linear electro-optic coefficient of the material and s is the quadratic electro-optic coefficient of the material incorporating a plurality of quantum dots and operating in a wavelength region where the value of rF is sufficiently greater than the value of sF2 so as to operate with the dominant effect on the refractive index &Dgr;n being contributed by the linear effect. In this way, a device with a wide bandwidth is achieved by appropriately separating the band-gap wavelength (&lgr;g) and the operating wavelengths (&lgr;).
(FR)Selon l'invention, un modulateur est constitué d'un matériau semi-conducteur qui, grâce à l'effet électro-optique,provoque une modification de l'indice de réfraction du materiau ($g(D)n) sous l'influence d'un champ appliqué F (251), selon l'équation $g(D)n = -1/2 n<sb>0</sb><sp>3</sp> [rF + sF<sp>2</sp>] $m(Z) $g(D)n<SB>L</SB>+ $g(D)n<SB>Q</SB>, où n<sb>0</sb> représente l'indice de réfraction du matériau pour un champ 0, $g(D)n<SB>L</SB> et $g(D)n<SB>Q </SB>représentent les contributions linéaires et quadratiques au changement de l'indice de réfraction, respectivement, r représente le coefficient électro-optique linéaire du matériau et s représente le coefficient quadratique électro-optique du matériau comportant une pluralité de points quantiques et fonctionnant dans une plage de longueur d'onde dans laquelle la valeur de rf est suffisamment plus grande que celle de sf<sp>2</sp> pour que l'effet dominant sur $g(D)n soit apporté par l'effet linéaire. Ainsi, on obtient un dispositif avec une grande largeur de bande en séparant de façon appropriée la longueur d'onde de la largeur de bande interdite ($g(l)g) et les longueurs d'onde de fonctionnement ($g(l)).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)