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1. (WO2003071586) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR ET PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR PRETRAITEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071586    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/030338
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 27.09.2002
CIB :
H01L 21/223 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : STANLEY, Timothy, Daryl; (US).
MALTABES, John; (US).
MAUTZ, Karl; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/033,071 26.10.2001 US
Titre (EN) METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER AND PREPROCESSED SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR ET PLAQUETTE EN SEMI-CONDUCTEUR PRETRAITEE
Abrégé : front page image
(EN)A method of processing a semiconductor wafer (10) comprising the steps of providing a semiconductor wafer (10) as a semiconductor substrate (12), preprocessing the semiconductor wafer (10) by depositing on the semiconductor wafer at least one additional layer (14, 16) and further processing the preprocessed semiconductor wafer (10) characterized in that the preprocessing is accomplished in a first factory (18), the further processing is accomplished in a second factory (20) other than the first factory, and the further processing comprises forming a structure selected from the group consisting of logic structures and memory structures.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'une plaquette en semi-conducteur (10). Ce procédé consiste à fournir une plaquette en semi-conducteur (10) comme substrat semi-conducteur (12), à prétraiter ladite plaquette en semi-conducteur (10) par dépôt d'au moins une couche supplémentaire (14, 16) sur la plaquette en semi-conducteur (10), et puis, à traiter la plaquette en semi-conducteur prétraitée (10). Le prétraitement est réalisé dans une première usine (18) et le traitement subséquent est accompli dans une seconde usine (20). Cette invention a également trait à une plaquette en semi-conducteur prétraitée (10) et à un système de traitement d'une plaquette en semi-conducteur (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)