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1. (WO2003071548) CONCEPTION DE CONTACT ETROIT POUR ENSEMBLES DE MEMOIRES VIVES MAGNETIQUES (MRAM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/071548    N° de la demande internationale :    PCT/EP2003/001589
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 17.02.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.09.2003    
CIB :
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE)
Inventeurs : HOENIGSCHMID, Heinz; (US).
RABERG, Wolfgang; (DE)
Mandataire : KOTTMANN, Dieter; Müller, Hoffmann & Partner, Patentanwälte, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10/080,415 22.02.2002 US
Titre (EN) NARROW CONDUCTOR DESIGN FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS
(FR) CONCEPTION DE CONTACT ETROIT POUR ENSEMBLES DE MEMOIRES VIVES MAGNETIQUES (MRAM)
Abrégé : front page image
(EN)An MRAM device (200) and method of manufacturing thereof having second conductive lines (228) with a narrow width. The second conductive lines (228) partially contact the resistive memory elements (214), reducing leakage currents in neighboring cells (214).
(FR)L'invention concerne un dispositif MRAM (200) ainsi qu'un procédé de fabrication correspondant, ce dispositif comprenant des lignes conductrices (228) présentant une largeur étroite. Les secondes lignes conductrices (228) entrent partiellement en contact avec les éléments de mémoire résistifs (214), d'où une réduction des courants de fuite dans les cellules avoisinantes (214).
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IE, IT, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)