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1. (WO2003070661) CERAMIQUE EN CARBURE DE SILICIUM POREUSE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/070661    N° de la demande internationale :    PCT/DE2003/000532
Date de publication : 28.08.2003 Date de dépôt international : 18.02.2003
CIB :
B01D 39/20 (2006.01), C04B 35/63 (2006.01), C04B 38/00 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 80636 München (DE) (Tous Sauf US).
ADLER, Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
IHLE, Jan [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ADLER, Jörg; (DE).
IHLE, Jan; (DE)
Mandataire : RAUSCHENBACH, Marion; PF 27 01 75 Bienertstrasse 15 01172 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
102 07 860.2 20.02.2002 DE
Titre (DE) PORÖSE SILICIUMCARBID-KERAMIK UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) POROUS SILICON CARBIDE CERAMIC MATERIAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) CERAMIQUE EN CARBURE DE SILICIUM POREUSE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Keramik und betrifft poröse Siliciumcarbid-Keramiken, die beispielsweise als Filterwerkstoffe zum Einsatz kommen können und ein Verfahren zu ihrer Herstellung. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine poröse flüssigphasengesinterte Siliciumcarbid-Keramik mit erhöhter Festigkeit und ein einfach realisierbares Verfahren zu ihrer Herstellung anzugeben. Die Aufgabe wird gelöst durch eine poröse Siliciumcarbid-Keramik, welche aus SiC-Partikeln besteht, die gerüstartig über eine Bindephase miteinander versintert sind, wobei die Bindephase Partikel enthält, deren Partikelgrösse kleiner ist, als die SiC-Partikel im Gerüst. Die Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung von porösen Siliciumcarbid-Keramiken nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem zu einem SiC-Pulver für das SiC-Gerüst Sinteradditive und Partikel für die Bindephase zugegeben werden, wobei die Partikelgrösse der Partikel für die Bindephase geringer ist als die Partikelgrösse des SiC-Pulvers, und anschliessend die Formgebung und Sinterung durchgeführt wird.
(EN)The invention relates to ceramics, more specifically porous silicon carbide ceramics, which can, for example, be used as filter materials, and to a method for the production thereof. The aim of the invention is to provide an increased-resistance, porous, liquid-phase-sintered silicon carbide material and to provide a method for the production thereof which is easy to carry out. The porous silicon carbide ceramic material consists of SiC particles which are sintered to each other in the form of a skeleton by means of a bonding phase. The bonding phase contains particles whose size is smaller than the SiC particles in the skeleton. In the method for the production of porous silicon carbide ceramics according to one of claims nos. 1-4 sinter additives and particles for the bonding phase are added to a SiC powder for the skeleton, the particle size of the particles for the bonding phase being smaller than the particle size of the SiC powder, whereupon forming and sintering subsequently occurs.
(FR)L'invention concerne le domaine de la céramique, en particulier des céramiques en carbure de silicium poreuses qui, par exemple, peuvent être utilisées comme matières filtrantes. Elle concerne également le procédé de production de ces céramiques. L'objectif de l'invention est d'offrir une céramique en carbure de silicium poreuse frittée avec une phase liquide qui présente une résistance élevée et dont le procédé de production soit simple. Cet objectif est atteint par l'obtention d'une céramique en carbure de silicium poreuse qui est constituée de particules de SiC liées par frittage par l'intermédiaire d'une phase de liaison pour former une ossature, ladite phase de liaison contenant des particules dont la taille est inférieure à celle des particules de SiC de l'ossature. Cet objectif est également atteint grâce au développement d'un procédé de production de céramiques en carbure de silicium selon les revendications 1 à 14, procédé selon lequel on ajoute, à une poudre de SiC devant former l'ossature de SiC, des additifs de frittage et, pour la phase de liaison, des particules dont la taille est inférieure à celle des particules de la poudre SiC, puis l'on procède à la mise en forme et au frittage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)