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1. (WO2003064059) INTEGRATION DE COUCHES DE TITANE ET DE NITRURE DE TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/064059    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/002217
Date de publication : 07.08.2003 Date de dépôt international : 24.01.2003
CIB :
C23C 16/06 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/515 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : YANG, Michael, X.; (US).
ITOH, Toshio; (US).
XI, Michael; (US)
Mandataire : PATTERSON, Todd, B.; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/352,191 26.01.2002 US
10/118,664 08.04.2002 US
Titre (EN) INTEGRATION OF TITANIUM AND TITANIUM NITRIDE LAYERS
(FR) INTEGRATION DE COUCHES DE TITANE ET DE NITRURE DE TITANE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention generally relate to an apparatus and method of integration of titanium nitride layers. One embodiment (10, 20, 30) includes providing one or more cycles of a first set of compounds, (313) providing one or more cycles of a second set of compounds, and providing one or more cycles of a third set of compounds. One cycle of the first set of compounds includes introducing a titanium precursor and a reductant. One cycle of the second set of compounds (315) includes introducing the titanium precursor and a silicon precursor. One cycle of the third set of compounds includes introducing the titanium precursor and a nitrogen precursor. Another embodiment includes depositing a titanium layer utilizing titanium halide. Then, a passivation layer is deposited over the titanium layer utilizing titanium halide. The passivation layer may comprise titanium nitride, titanium silicon nitride, and combinations thereof. Then, a titanium nitride layer is deposited over the passivation layer utilizing titanium halide.
(FR)De manière générale, les modes de réalisation de la présente invention ont trait à un appareil et un procédé d'intégration de couches de titane et de nitrure de titane. Un mode de réalisation comporte la réalisation d'un ou des cycles de dépôt d'un premier ensemble de composés, la réalisation d'un ou des cycles de dépôt d'un deuxième ensemble de composés, et la réalisation d'un ou des cycles de dépôt d'un troisième ensemble de composés. Un cycle de dépôt du premier ensemble de composés comporte l'introduction d'un précurseur de titane et un agent réducteur. Un cycle du dépôt de deuxième ensemble de composés comporte l'introduction du précurseur de titane et d'un précurseur de silicium. Un cycle de dépôt du troisième ensemble de composés comporte l'introduction du précurseur de titane et d'un précurseur d'azote. Un autre mode de réalisation comporte le dépôt d'une couche de titane en utilisant de l'halogénure de titane. Ensuite, on effectue le dépôt d'une couche de passivation sur la couche de titane en utilisant de l'halogénure de titane. La couche de passivation peut comporter du siliciure de titane, du nitrure de silicium de titane, et des combinaisons de ceux-ci. Ensuite, on effectue le dépôt d'une couche de nitrure de titane sur la couche de passivation en utilisant de l'halogénure de titane. Un autre mode de réalisation encore comporte le dépôt d'une couche de titane sur une surface d'un substrat. Ensuite, on traite la couche de titane par un trempage avec un précurseur de silicium à une température du substrat environ égale ou inférieure à 550 °C pour former une couche de titane. Ensuite, on effectue le dépôt d'une couche de nitrure sur la couche de titane traitée.
États désignés : JP, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)