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1. WO2003023952 - CIRCUIT DE GAIN A RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/023952
Date de publication 20.03.2003
N° de la demande internationale PCT/US2001/027699
Date du dépôt international 07.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.03.2003
CIB
H03F 1/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
30Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 3/19 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
189Amplificateurs à haute fréquence, p.ex. amplificateurs radiofréquence
19comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
CPC
H03F 1/301
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage ; or other physical parameters
301in MOSFET amplifiers
H03F 3/19
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
Déposants
  • MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE [US]/[US]
Inventeurs
  • DESHPANDE, Mandar
  • EL-ZEIN, Nada
  • LEWIS, Jonathan
  • NAIR, Vijay
Mandataires
  • KOCH, WILLIAM, E.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GAIN CIRCUIT INCLUDING NDR AND METHOD
(FR) CIRCUIT DE GAIN A RESISTANCE DIFFERENTIELLE NEGATIVE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A high gain circuit (10) includes a tunnel diode (14) having first and second electrodes (23, 21) for producing a negative differential resistance in response to a bias voltage (VBIAS). A gain stage (12) has first and second inputs coupled to the first and second electrodes of the tunnel diode for receiving an input signal. The input signal is loaded or modified with the negative differential resistance to produce an amplified signal at an output (22) of the gain stage. The loading of the input signal with a negative differential resistance produces a modified input signal that appears larger than the original input signal, resulting in greater gain. The tunnel diode can be integrated into the circuit with little or no increased area.
(FR)
Circuit à gain élevé (10) comprenant une diode tunnel (14) présentant des première et seconde électrodes (23, 21) pour la production d'une résistance différentielle négative en réponse à une tension de polarisation (VBIAS). Un étage de gain (12) présente des première et seconde entrées couplées à des première et seconde électrodes de la diode tunnel permettant de recevoir un signal d'entrée. Le signal d'entrée est chargé ou modifié au moyen de la résistance différentielle négative afin de produire un signal amplifié au niveau d'une sortie (22) de l'étage de gain. Le chargement du signal d'entrée au moyen d'une résistance différentielle négative produit un signal d'entrée modifié qui apparaît plus grand que le signal d'entrée d'origine, donnant lieu à un gain supérieur. La diode tunnel peut être intégrée à l'intérieur du circuit avec un surcroît de surface faible ou nulle.
Également publié en tant que
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