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1. WO2003023864 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2003/023864
Date de publication 20.03.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/009219
Date du dépôt international 10.09.2002
CIB
H01L 21/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
CPC
H01L 21/049
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
0445the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
048Making electrodes
049Conductor-insulator-semiconductor electrodes, e.g. MIS contacts
H01L 29/66068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66053of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
66068the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
Déposants
  • NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KOSUGI, Ryoji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • FUKUDA, Kenji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SENZAKI, Junji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OKAMOTO, Mitsuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HARADA, Shinsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SUZUKI, Seiji [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KOSUGI, Ryoji
  • FUKUDA, Kenji
  • SENZAKI, Junji
  • OKAMOTO, Mitsuo
  • HARADA, Shinsuke
  • SUZUKI, Seiji
Mandataires
  • FUKUDA, Kenzo
Données relatives à la priorité
2001-27407310.09.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A production method for semiconductor devices comprising the step of forming on a silicon carbide substrate a gate insulation film such as a silicon oxide film, silicon nitride film or silicon oxide nitride film, wherein, after the gate insulation film is formed on the silicon carbide substrate, the film is heat treated within a temperature range of 900°C to 1000°C in an atmosphere containing at least 25% of H2O (water) to provide a semiconductor device improved in channel mobility.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour fabriquer des dispositifs semi-conducteurs consistant à former sur un substrat de carbure de silicium un film d'isolation de grille tel qu'un film d'oxyde de silicium, de nitrure de silicium ou d'oxyde-nitrure de silicium. Le film d'isolation de grille étant formé sur le substrat de carbure de silicium, ce film est traité thermiquement dans une plage de températures allant de 900 °C à 1000 °C dans une atmosphère contenant au moins 25 % de H2O (eau), pour réaliser un dispositif semi-conducteur amélioré en termes de mobilité de canal.
Également publié en tant que
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