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1. WO2003023855 - DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES BORNES ELECTRIQUES SOUPLES, APPAREIL EQUIPE DE CE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANTS

Numéro de publication WO/2003/023855
Date de publication 20.03.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/025427
Date du dépôt international 12.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 11.04.2003
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
H01L 23/485 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
CPC
H01L 2224/05571
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
0556Disposition
05571the external layer being disposed in a recess of the surface
H01L 2224/05573
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
05573Single external layer
H01L 2224/06131
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
06of a plurality of bonding areas
061Disposition
0612Layout
0613Square or rectangular array
06131being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
H01L 2224/13022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
13of an individual bump connector
13001Core members of the bump connector
1302Disposition
13022the bump connector being at least partially embedded in the surface
H01L 2224/13099
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
13of an individual bump connector
13001Core members of the bump connector
13099Material
H01L 23/3114
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
3107the device being completely enclosed
3114the device being a chip scale package, e.g. CSP
Déposants
  • DOW CORNING CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • LUTZ, Michael, A.
Mandataires
  • GOODMAN, Kenneth, D.
  • NASH, David, Allan
Données relatives à la priorité
09/952,33712.09.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH COMPLIANT ELECTRICAL TERMINALS, APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR FORMING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DES BORNES ELECTRIQUES SOUPLES, APPAREIL EQUIPE DE CE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANTS
Abrégé
(EN)
A semiconductor device (e.g., a chip scale package or CSP) is described including multiple input/output (I/O) pads arranged on a surface of a semiconductor substrate, a compliant dielectric layer, an outer dielectric layer, and multiple electrically conductive, compliant interconnect bumps (i.e., compliant bumps). The compliant bumps may form electrical terminals of the semiconductor device. The compliant dielectric layer is positioned between the outer dielectric layer and the surface of the semiconductor substrate. The outer dielectric layer and the compliant dielectric both have multiple openings (i.e., holes) extending therethrough. Each of the compliant bumps is formed upon a different one of the I/O pads, and extends through a different one of the openings in the first compliant dielectric layer and the outer dielectric layer. Each of the compliant bumps includes an electrically conductive, compliant body, and an electrically conductive, solderable conductor element. The compliant bodies form mechanically flexible, eletrically conductive paths between the solderable conductor elements and the corresponding I/O pads. The solderable conductor elements are solder wettable. Several methods for forming the semiconductor device are described. An apparatus including the semiconductor device is also described, as is a method for forming the apparatus.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (par exemple, un boîtier format puce ou « CSP » (chip scale package)) qui comporte de multiples plages de connexion entrée/sortie (E/S) placées sur la surface d'un substrat semi-conducteur, une couche diélectrique souple, une couche diélectrique extérieure, ainsi que de multiples bosses d'interconnexion électroconductrices et souples (bosses souples). Ces bosses souples peuvent constituer les bornes électriques du dispositif à semi-conducteur. La couche diélectrique souple est placée entre la couche diélectrique extérieure et la surface du substrat semi-conducteur. La couche diélectrique extérieure et la couche diélectrique souple sont toutes deux traversées par de multiples ouvertures (trous). Chaque bosse souple est formée sur une plage de connexion E/S différente, et traverse une ouverture différente dans la couche diélectrique souple et la couche diélectrique extérieure. Chaque bosse souple est composée d'un corps électroconducteur souple et d'un élément conducteur soudable électroconducteur. Les corps souples sont disposés entre les éléments conducteurs soudables et les plages de connexion E/S correspondantes et forment entre lesdits éléments et les plages de connexion des trajets conducteurs mécaniquement souples. Les éléments conducteurs soudables sont mouillables par soudure. Par ailleurs, l'invention concerne de nombreux procédés de fabrication de ce dispositif à semi-conducteur. Elle concerne enfin un appareil équipé de ce dispositif à semi-conducteur, ainsi qu'un procédé de fabrication de cet appareil.
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