Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2003021680 - MODULE DE PUISSANCE A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2003/021680
Date de publication 13.03.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/009457
Date du dépôt international 23.08.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.03.2003
CIB
H01L 25/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H01L 23/13 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
13caractérisés par leur forme
CPC
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
48137the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
H01L 2224/49
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
H01L 2224/73265
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73265Layer and wire connectors
H01L 24/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
H01L 24/49
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
49of a plurality of wire connectors
Déposants
  • EUPEC GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • STOLZE, Thilo [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • STOLZE, Thilo
Mandataires
  • SCHMUCKERMAIER, Bernhard
Données relatives à la priorité
101 42 971.101.09.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) LEISTUNGSHALBLEITERMODUL
(EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE DE PUISSANCE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(DE)
Das Leistungshalbleitermodul (1) umfasst mehrere Halbleiterbauelemente (6, 7, 8), die sich auf einem Substrat (2) befinden. Um einen infolge von Deformationen auftretenden Abnahme des Drucks des Substrats gegen eine Kühlfläche und somit eine Abnahme der Kühlung des Substrats zu verhindern, ist vorgesehen, dass das Substrat (2) mehrere Substratbereiche (3, 4, 5) aufweist und dass sich zwischen Substratbereichen (3, 4, 5) ein oder mehrere Verbindungsbereiche (31, 32) befinden, über die die Substratbereiche (3, 4, 5) relativ-beweglich zueinander verbunden sind.
(EN)
The power semiconductor module (1) comprises several semiconductor components (6, 7, 8), located on a substrate (2). The aim of the invention is to prevent a reduction in the pressure of the substrate against a cooling surface and the resulting loss of cooling arising from deformations. Said aim is achieved, whereby the substrate (2) comprises several substrate regions (3, 4, 5), with one or several connection regions (31, 32), located between substrate regions (3, 4, 5), by means of which the substrate regions (3, 4, 5) are connected such as to move relative to each other.
(FR)
L'invention concerne un module de puissance à semi-conducteur (1) comportant plusieurs composants semi-conducteurs (6, 7, 8) qui sont placés sur un substrat (2). Pour empêcher une réduction, résultant de déformations, de la pression du substrat contre une surface de refroidissement, et donc une réduction du refroidissement du substrat, il est prévu que ledit substrat (2) présente plusieurs zones (3, 4, 5) et qu'entre ces zones (3, 4, 5) soit placée au moins une zone de liaison (31, 32) par l'intermédiaire de laquelle ou desquelles les zones (3, 4, 5) du substrat sont reliées de façon à pouvoir effectuer un déplacement relatif.
Également publié en tant que
US10789485
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international