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1. WO2003018256 - PROCEDE ET APPAREIL D'OPTIMALISATION DE FIN DE POLISSAGE PAR PLANARISATION CHIMICO-MECANIQUE

Numéro de publication WO/2003/018256
Date de publication 06.03.2003
N° de la demande internationale PCT/IB2002/003443
Date du dépôt international 21.08.2002
CIB
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 57/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
57Dispositifs pour l'alimentation, l'application, le triage ou la récupération de produits de meulage, polissage ou rodage
02pour l'alimentation en produits de meulage, polissage ou rodage à l'état fluide, vaporisés, pulvérisés ou liquéfiés
CPC
B24B 37/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
B24B 57/02
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
57Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
02for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • BLACK, Andrew, J.
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.
Données relatives à la priorité
09/944,46931.08.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION END-O F-POLISH OPTIMIZATION
(FR) PROCEDE ET APPAREIL D'OPTIMALISATION DE FIN DE POLISSAGE PAR PLANARISATION CHIMICO-MECANIQUE
Abrégé
(EN)
A system and method are provided that uses a high pressure, high pH rinse to clear the slurry particles from a semiconductor polishing pad. While the high pressure spray is removing the slurry from the pad, a low downforce is applied to the wafer. Once the slurry has been cleared from the pad the semiconductor wafer is rinsed with deionized water to bring the pH at the surface of the wafer back to neutral.
(FR)
L'invention concerne un système et un procédé faisant appel à un rinçage haute pression à pH élevé destiné à enlever les particules de bouillie situées à la surface et à l'intérieur d'un feutre de polissage (202). Tandis que le jet haute pression retire la bouille du feutre, une faible force descendante est appliquée sur la plaquette (205). Dès que la bouillie a été enlevée du feutre, la plaquette en semi-conducteur est rincée avec de l'eau désionisée pour que le pH à la surface de la plaquette soit à nouveau neutre.
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