WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2003010805) STRUCTURES III-V COMPLEMENTAIRES ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2003/010805    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014736
Date de publication : 06.02.2003 Date de dépôt international : 08.05.2002
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/8258 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : OOMS, William, J.; (US).
PRENDERGAST, James, E.; (US).
GILLIG, Steven, F.; (US)
Mandataire : KOCH, William, E.; Portfolio Manager - Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/910,044 23.07.2001 US
Titre (EN) COMPLEMENTARY III-V STRUCTURES AND DEVICES
(FR) STRUCTURES III-V COMPLEMENTAIRES ET DISPOSITIFS ASSOCIES
Abrégé : front page image
(EN)High quality epitaxial layers of monocrystalline materials suitable for forming complimentary III-V field effect transistors (340) can be grown overlying monocrystalline substrates (350) such as large silicon wafers by forming a compliant substrate (346) for growing the monocrystalline layers and a buffer structure overlying the compliant substrate (346). One way to achieve the formation of a compliant substrate includes first growing an accommodating buffer layer (354) on a silicon wafer (350). The accommodating buffer layer (354) is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide (352).
(FR)L'invention concerne des couches épitaxiales de haute qualité de matériaux monocristallins conçues pour former des transistors à effet de champ III-V complémentaires (340) et pouvant être développées de manière recouvrir des substrats monocristallins (350), tels que des grandes plaquettes de silicium, par formation d'un substrat adaptatif (346), aux fins de développement des couches monocristallines et d'une structure tampon recouvrant ledit substrat (346). Une technique permettant d'obtenir la formation d'un substrat adaptatif consiste à développer dans un premier temps une couche tampon de réception (354) sur une plaquette de silicium (350). La couche tampon de réception (354) est une couche d'oxyde monocristallin espacée de la plaquette de silicium par une couche d'interface amorphe d'oxyde de silicium (352).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)