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Paramétrages

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1. WO2003009421 - DISPOSITIF DESTINE A ASSURER LE TRANSFERT D'ENERGIE ELECTROMAGNETIQUE

Numéro de publication WO/2003/009421
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/013453
Date du dépôt international 29.04.2002
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/8258 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8258le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une combinaison de technologies couvertes par les groupes H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 ou H01L21/8256229
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01Q 3/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
QANTENNES, c. à d. ANTENNES RADIO
3Dispositifs pour changer ou faire varier l'orientation ou la forme du diagramme de directivité des ondes rayonnées par une antenne ou un système d'antenne
26faisant varier la phase relative ou l'amplitude relative et l'énergie d'excitation entre deux ou plusieurs éléments rayonnants actifs; faisant varier la distribution de l'énergie à travers une ouverture rayonnante
30faisant varier la phase
34par des moyens électriques
36avec des déphaseurs variables
H01Q 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
QANTENNES, c. à d. ANTENNES RADIO
21Systèmes ou réseaux d'antennes
H01Q 25/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
QANTENNES, c. à d. ANTENNES RADIO
25Antennes ou systèmes d'antennes fournissant au moins deux diagrammes de rayonnement
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02505
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
H01L 21/02507
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02496Layer structure
02505consisting of more than two layers
02507Alternating layers, e.g. superlattice
H01L 21/02513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02513Microstructure
H01L 21/02521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • WARBLE, Keith, V.; US
  • LOCKE, John, Wesley; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/905,11516.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS FOR EFFECTING TRANSFER OF ELECTROMAGNETIC ENERGY
(FR) DISPOSITIF DESTINE A ASSURER LE TRANSFERT D'ENERGIE ELECTROMAGNETIQUE
Abrégé
(EN)
An apparatus (400) for effecting transfer of electromagnetic signals intermediate a host device (402) and a medium adjacent to the antenna includes: (a) a plurality of antenna elements (420) arranged in an array (404) in facing relation with a target sector; (b) a phase adjusting unit (406) coupled with selected antenna elements and with the host unit for transferring internal signals intermediate the host device and the antenna elements; and (c) a control unit (408) coupled with the phase adjusting unit. The phase adjusting unit cooperates with the control unit to adjust at least one parameter relating to the electromagnetic signals intermediate the host device and the antenna elements. The adjusting is carried out to cause the antenna elements to address the sector in a timed space-sharing pattern. At least two of the plurality of antenna array, the phase adjusting unit and the control unit are implemented in a unitary structure borne upon a single silicon substrate.
(FR)
L'invention se rapporte à un appareil (400) destiné à assurer le transfert de signaux électromagnétiques entre un dispositif hôte (402) et un support adjacent à l'antenne, comprenant : (a) une pluralité d'éléments d'antennes (420) disposés de manière à former un réseau (404) faisant face à un secteur cible ; (b) une unité de réglage de phase (406) couplée à des éléments d'antennes sélectionnés et à l'unité hôte pour transférer des signaux internes entre le dispositif hôte et les éléments d'antennes ; et (c) une unité de commande (408) couplée à l'unité de réglage de phase. L'unité de réglage de phase coopère avec l'unité de commande pour régler au moins un paramètre lié aux signaux électromagnétiques transférés entre le dispositif hôte et les éléments d'antennes. Le réglage est effectué de sorte que les éléments d'antennes desservent le secteur dans une configuration de partage de l'espace minutée. Au moins deux antennes de la pluralité d'antennes formant le réseau, l'unité de réglage de phase et l'unité de commande sont mises en oeuvre dans une structure unitaire portée par un substrat de silicium unique.
Également publié en tant que
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