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Paramétrages

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1. WO2003009399 - DIODE ELECTROLUMINESCENTE A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE

Numéro de publication WO/2003/009399
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/DE2002/002677
Date du dépôt international 19.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.02.2003
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 33/007
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0066with a substrate not being a III-V compound
007comprising nitride compounds
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstr. 2 93049 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • HAHN, Berthold [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HANGLEITER, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HÄRLE, Volker [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • HAHN, Berthold; DE
  • HANGLEITER, Andreas; DE
  • HÄRLE, Volker; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
101 35 189.519.07.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) GALLIUMNITRID-BASIERTE LED UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) GALLIUM NITRIDE-BASED LED AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé
(DE)
Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Vorrichtung auf Basis eines Galliumnitrid-basierten Verbindungshalbleiters vorgeschlagen, mit einer lichtemittierenden Schicht (2) mit einer ersten und einer zweiten Hauptfläche, die aus einem Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist; einer ersten Überzugsschicht (3), die mit der ersten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem n-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet; und einer zweiten Überzugsschicht (4), die mit der zweiten Hauptfläche der lichtemittierenden Schicht (2) verbunden und aus einem p-Typ-Verbindungshalbleiter auf Galliumnitridbasis gebildet ist, dessen Zusammensetzung sich von derjenigen des Verbindungshalbleiters der lichtemittierenden Schicht unterscheidet. Zur Verbesserung der Lumineszenzausbeute der Vorrichtung (1) ist die Dicke der lichtemittierenden Schicht (2) in der Nähe von Versetzungen (10) geringer als im übrigen Be-reich ausgebildet.
(EN)
The invention relates to a method for producing a light-emitting device based on a gallium nitride-based compound semiconductor, comprising a light-emitting layer (2), which is provided with a first and a second main surface and formed from a compound semiconductor based on gallium nitride. The inventive device also comprises a first covering layer (3), which is connected to the first main surface of the light-emitting layer (2) and formed from an n-type compound semiconductor based on gallium nitride, whose composition differs from that of the compound semiconductor of the light-emitting layer. Lastly, the inventive device comprises a second covering layer (4), which is connected to the second main surface of the light-emitting layer (2) and formed from a p-type compound semiconductor based on gallium nitride, whose composition also differs from that of the compound semiconductor of the light-emitting layer. In order to improve the luminescence yield of the device (1), the thickness of the light-emitting layer (2) in the proximity of offsets (10) is less than in the remaining area.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent basé sur un semi-conducteur de connexion à base de nitrure de gallium. Ce dispositif comprend les éléments suivants : une couche électroluminescente (2), comportant une première et une deuxième surface principale et constituée d'un semi-conducteur de connexion à base de nitrure de gallium ; une première couche de revêtement (3), reliée à la première surface principale de la couche électroluminescente (2) et formée d'un semi-conducteur de connexion de type n à base de nitrure de gallium, dont la composition se différencie de celle du semi-conducteur de connexion de la couche électroluminescente ; une deuxième couche de revêtement (4), reliée à la deuxième surface principale de la couche électroluminescente (2) et formée d'un semi-conducteur de connexion de type p à base de nitrure de gallium, dont la composition diffère de celle du semi-conducteur de connexion de la couche électroluminescente. Afin d'améliorer le rendement d'électroluminescence dudit dispositif (1), l'épaisseur de la couche électroluminescente (2) est plus faible à proximité de déports (10) que dans le reste du dispositif.
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