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Paramétrages

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1. WO2003009390 - TRANSISTOR DU TYPE MIS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ

Numéro de publication WO/2003/009390
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006485
Date du dépôt international 27.06.2002
CIB
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H01L 29/49 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
CPC
H01L 21/28079
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28026characterised by the conductor
28079the final conductor layer next to the insulator being a single metal, e.g. Ta, W, Mo, Al
H01L 21/28562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
28556by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
28562Selective deposition
H01L 29/4958
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
49Metal-insulator-semiconductor electrodes, ; e.g. gates of MOSFET
495the conductor material next to the insulator being a simple metal, e.g. W, Mo
4958with a multiple layer structure
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001, JP (AllExceptUS)
  • KOMATSU, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SUZUKI, Toshiharu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • KOMATSU, Hiroshi; JP
  • SUZUKI, Toshiharu; JP
Mandataires
  • NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office 9th Floor, Toranomon Daiichi Building 2-3, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001, JP
Données relatives à la priorité
2001-20930110.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MIS TYPE TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) TRANSISTOR DU TYPE MIS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé
(EN)
A MIS type transistor for optionally and sequentially controlling a work function as viewed from the gate insulation film side of a gate electrode to a value different from the characteristic value inherent in the material of the gate electrode, and for sequentially controlling Vth according to the different value. MIS type transistors (100A, 100B) have a lamination structure of a variety of metal layers (11, 12, 13) with different work functions, and the first metal layer (11) which contacts the gate insulation film (2) is formed into a film thickness of 5 debye length or less by atomic layer CVD.
(FR)
L'invention concerne un transistor du type MIS (métal-isolant-semiconducteur) qui permet de contrôler de manière optionnelle et séquentielle une fonction de travail telle qu'elle est vue depuis le côté du film d'isolation de grille d'une électrode grille afin de la régler sur une valeur différente de la valeur caractéristique inhérente au matériau de l'électrode grille. Ce transistor permet également de contrôler de manière séquentielle Vth en fonction de la valeur différente. Les transistors du type MIS (100A, 100B) présentent une structure de lamination constitué de diverses couches métalliques (11, 12, 13) présentant différentes fonctions de travail. Un film présentant une longueur de Debye de 5 ou moins est formé par dépôt chimique de couches atomiques en phase vapeur à partir de la première de ces couches métalliques (11), qui est en contact avec le film d'isolation de grille (2).
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