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Paramétrages

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1. WO2003009386 - PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE LIAISON

Numéro de publication WO/2003/009386
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006965
Date du dépôt international 09.07.2002
CIB
H01L 21/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
H01L 21/46 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Y10S 438/977
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
977Thinning or removal of substrate
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
  • AGA, Hiroji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • TOMIZAWA, Shinichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MITANI, Kiyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • AGA, Hiroji; JP
  • TOMIZAWA, Shinichi; JP
  • MITANI, Kiyoshi; JP
Mandataires
  • YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041, JP
Données relatives à la priorité
2001-21682817.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING BONDING WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE LIAISON
Abrégé
(EN)
A method for producing a bonding wafer by ion implantation stripping method comprising a step for bonding a bond wafer having a micro bubble layer formed by gas ion implantation and a base wafer becoming a supporting substrate, and a step for stripping the bond wafer with the micro bubble layer as a boundary and forming a thin film on the base wafer, wherein the pasted wafer from which the bond wafer is stripped is heat treated in the atmosphere of an inert gas, hydrogen gas or their mixture gas, a thermal oxide film is formed on the surface of the thin film by thermally oxidizing the pasted wafer, and then the thickness of the thin film is reduced by removing the thermal oxide film. Damages and defects on the surface of a pasted wafer produced by ion implantation stripping method can be removed surely while sustaining uniformity in the thickness of a thin film on the wafer, and a method for producing a bonding wafer sufficiently applicable as a mass production technology is provided.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'une plaquette de liaison par le biais d'un procédé de décapage d'implantation ionique consistant à coller une plaquette de liaison présentant une couche de micro bulles formée au moyen d'une implantation ionique de gaz, une plaquette de base se transformant en un substrat de support, à décaper la plaquette de liaison avec la couche de micro bulles en tant que limite, et à former un film mince sur la plaquette de base. La plaquette collée à partir de laquelle la plaquette de liaison est décapée subit un traitement thermique dans l'atmosphère d'un gaz inerte, d'hydrogène gazeux ou du mélange de ces gaz. Un film d'oxyde thermique est formé à la surface du film mince par le biais d'une oxydation thermique de la plaquette collée, puis l'épaisseur du film mince est réduite par le biais de la suppression du film d'oxyde thermique. Des dommages et des défauts situés à la surface de la plaquette collée et produits par le procédé de décapage d'implantation ionique peuvent être supprimés de manière sûre tout en maintenant l'uniformité au niveau de l'épaisseur d'un film mince sur la plaquette. L'invention concerne également un procédé de production d'une plaquette de liaison pouvant présenter suffisamment d'applications en tant que technologie de production de masse.
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