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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003009380 - COUCHE A CONCENTRATION PROGRESSIVE DE CARBONE POUR ACCROITRE L'ADHERENCE DE SUBSTRATS DU TYPE DIELECTRIQUE A FAIBLE CONSTANTE K SUR SILICIUM

Numéro de publication WO/2003/009380
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/GB2002/001370
Date du dépôt international 21.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.04.2002
CIB
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 23/532 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532caractérisées par les matériaux
H01L 29/51 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51Matériaux isolants associés à ces électrodes
CPC
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02274
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
02274in the presence of a plasma [PECVD]
H01L 21/28185
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28158Making the insulator
28167on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
28185with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the gate insulator and before the formation of the definitive gate conductor
H01L 21/28194
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28158Making the insulator
28167on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
28194by deposition, e.g. evaporation, ALD, CVD, sputtering, laser deposition
H01L 23/5329
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
5329Insulating materials
H01L 23/53295
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
5329Insulating materials
53295Stacked insulating layers
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41 North Harbour Portsmouth, Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
Inventeurs
  • CONTI, Richard; US
  • DEV, Prakash; US
  • DOBUZINSKY, David, Mark; US
  • EDELSTEIN, Daniel, Charles; US
  • LEE, Gill; US
  • LOW, Kia-Seng; US
  • SHAFER, Padraic; US
  • SIMPSON, Alexander; US
  • WRSCHKA, Peter; US
Mandataires
  • FOURNIER, Kevin, John; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester, Hampshire SO21 2JN, GB
Données relatives à la priorité
09/910,38020.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CARBON-GRADED LAYER FOR IMPROVED ADHESION OF LOW-K DIELECTRICS TO SILICON SUBSTRATES
(FR) COUCHE A CONCENTRATION PROGRESSIVE DE CARBONE POUR ACCROITRE L'ADHERENCE DE SUBSTRATS DU TYPE DIELECTRIQUE A FAIBLE CONSTANTE K SUR SILICIUM
Abrégé
(EN)
A structure and method for an insulator layer having carbon-graded layers above a substrate is disclosed, wherein the concentration of carbon increases in each successive carbon-graded layer above the substrate. The insulator comprises a low-k dielectric having a dielectric constant less than 3.3. The carbon-graded layer increases adhesion between the substrate and the insulator and between the insulator and the conductor layer. The structure may also include stabilization interfaces between the carbon-graded layers. More specifically, the carbon-graded layers include a first layer adjacent the substrate having a carbon content between about 5% and 20%, a second layer above the first layer having a carbon content between about 10% and 30%, and a third layer above the second layer having a carbon content between about 20% and 40%.
(FR)
Structure et procédé d'obtention de couche d'isolant présentant des couches à concentration progressive de carbone sur substrat, la concentration de carbone s'accroissant à chaque couche de carbone successive du substrat. L'isolant comprend un diélectrique à faible constante k, inférieure à 3,3. La couche à concentration progressive de carbone accroît l'adhérence entre le substrat et l'isolant, et entre l'isolant et la couche conductrice. La structure peut aussi comprendre des interfaces de stabilisation entre les couches à concentration progressive de carbone. Plus spécifiquement, les couches à concentration progressive de carbone comprennent une première couche, adjacente au substrat, qui présente une teneur en carbone comprise entre environ 5 % et 20 % ; une deuxième couche, située sur la première couche, qui présente une teneur en carbone comprise entre environ 10 % et 30 % ; et une troisième couche, située sur la deuxième couche, qui présente une teneur en carbone comprise entre environ 20 % et 40 %.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international