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Paramétrages

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1. WO2003009365 - PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE EN SILICIUM, D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM, ET PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM

Numéro de publication WO/2003/009365
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/005000
Date du dépôt international 23.05.2002
CIB
H01L 21/322 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
322pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
CPC
H01L 21/3225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
3225Thermally inducing defects using oxygen present in the silicon body for intrinsic gettering
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
  • TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • TAKENO, Hiroshi; JP
Mandataires
  • ISHIHARA, Shoji; No.302, Wakai Bldg. 7-8, Higashi-Ikebukuro 3-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013, JP
Données relatives à la priorité
2001-20916010.07.2001JP
2001-29674327.09.2001JP
2001-29674427.09.2001JP
2001-29674527.09.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, SILICON EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE EN SILICIUM, D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM, ET PLAQUETTE EPITAXIALE EN SILICIUM
Abrégé
(EN)
A silicon wafer or silicon epitaxial wafer manufacturing method for adding an excellent−stability IG capability by realizing both a high density of oxygen precipitate and a large size at the stage before the device process. The silicon wafer manufacturing method in which the silicon wafer is heat−treated so as to impart a gettering capability to the silicon wafer comprises at least three steps: a temperature−increasing step A for forming oxygen precipitation nuclei, a temperature−increasing step B for growing the oxygen precipitation nuclei, and a constant temperature−holding step C for further growing the oxygen precipitate larger.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette épitaxiale en silicium ou d'une plaquette en silicium, ledit procédé permettant d'ajouter une capacité IG d'excellente stabilité par obtention d'une haute densité d'un précipité d'oxygène et d'une taille importante à l'étape précédant le processus. Le procédé de fabrication, au cours duquel la plaquette en silicium est traitée thermiquement, de manière à conférer une capacité d'effet getter à ladite plaquette, comprend au moins trois étapes : une étape A d'augmentation de la température permettant de former des noyaux de précipitation d'oxygène, une étape B d'augmentation de la température permettant de faire croître les noyaux de précipitation d'oxygène, et une étape C de maintien d'une température constante destinée à faire croître le précipité d'oxygène.
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