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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003009318 - SUPPORT POUR DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES, MICRO-OPTOELECTRONIQUES OU MICROMECANIQUES

Numéro de publication WO/2003/009318
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/IT2002/000466
Date du dépôt international 16.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 08.02.2003
CIB
B81B 7/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7Systèmes à microstructure
B81C 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
C23C 14/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
C23C 16/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
04Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
H01L 21/68 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
CPC
B81C 1/00285
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
00277for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
00285using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
C23C 14/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
C23C 16/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
G01J 5/045
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
04Casings ; Mountings
041Mountings in enclosures or in a particular environment
045Sealings; Vacuum enclosures; Encapsulated packages; Wafer bonding structures; Getter arrangements
H01L 21/6835
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6835using temporarily an auxiliary support
H01L 23/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
16Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; , e.g. centering rings
18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
26including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances ; , e.g. getters
Déposants
  • SAES GETTERS S.P.A. [IT/IT]; Viale Italia, 77 I-20020 Lainate, IT
Inventeurs
  • AMIOTTI, Marco; IT
Mandataires
  • ADORNO, Silvano; Società Italiana Brevetti S.p.A. Via Carducci, 8 I-20123 Milano , IT
Données relatives à la priorité
MI2001A00155820.07.2001IT
MI2002A00068803.04.2002IT
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUPPORT WITH GETTER-MATERIAL FOR MICROELECTRONIC, MICROOPTOELECTRONIC OR MICROMECHANICAL DEVICE
(FR) SUPPORT POUR DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES, MICRO-OPTOELECTRONIQUES OU MICROMECANIQUES
Abrégé
(EN)
The invention is about a support for the production of microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices. Said support (10; 60) comprises a base (11; 61) having the function of backing element, on which is deposited a getter material or drier material in form of discrete deposits (13, 13', ...; 63, 63', ...) that are at least partially exposed to the atmosphere present around said support (10; 60).
(FR)
L'invention concerne un support de production de dispositifs microélectroniques, micro-optoélectroniques ou micromécaniques. Ledit support (10; 60) comprend une base (11; 61) servant d'élément d'appui, sur laquelle est déposé un matériau d'absorption de gaz sous forme de dépôts discrets (13, 13',...; 63, 63',...) au moins partiellement exposés à l'atmosphère autour dudit support (10; 60).
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