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Paramétrages

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1. WO2003009057 - TRANSISTORS EN COUCHE MINCE A UTILISER DANS DES DISPOSITIFS D'AFFICHAGE A ECRAN PLAT

Numéro de publication WO/2003/009057
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022818
Date du dépôt international 17.07.2002
CIB
G09G 3/20 2006.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
G09G 3/32 2006.01
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
GDISPOSITIONS OU CIRCUITS POUR LA COMMANDE DE L'AFFICHAGE UTILISANT DES MOYENS STATIQUES POUR PRÉSENTER UNE INFORMATION VARIABLE
3Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
20pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice
22utilisant des sources lumineuses commandées
30utilisant des panneaux électroluminescents
32semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 21/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 27/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
CPC
G09G 2300/0842
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
2300Aspects of the constitution of display devices
08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
0809Several active elements per pixel in active matrix panels
0842forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
G09G 3/20
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
G09G 3/3233
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
22using controlled light sources
30using electroluminescent panels
32semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
3208organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
3225using an active matrix
3233with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
H01L 27/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/1292
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1292using liquid deposition, e.g. printing
Déposants
  • DISPLAY RESEARCH LABORATORIES, INC. [US/US]; 5810 Nancy Ridge Drive Suite 200 San Diego, CA 92121, US (AllExceptUS)
  • LUEDER, Ernst [US/US]; US (UsOnly)
  • NAUGLER, JR., W., Edward [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • LUEDER, Ernst; US
  • NAUGLER, JR., W., Edward; US
Mandataires
  • TEST, Aldo, J. ; Dorsey & Whitney LLP 4 Embarcadero Center Suite 3400 San Francisco, CA 94111, US
Données relatives à la priorité
10/187,35028.06.2002US
60/306,36217.07.2001US
60/306,36317.07.2001US
60/306,36617.07.2001US
60/306,36717.07.2001US
60/306,36817.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTORS SUITABLE FOR USE IN FLAT PANEL DISPLAYS
(FR) TRANSISTORS EN COUCHE MINCE A UTILISER DANS DES DISPOSITIFS D'AFFICHAGE A ECRAN PLAT
Abrégé
(EN)
A flat panel display is described. The flat panel display includes a matrix of light-emitting diodes which are driven by thin film field effect transistor circuits in which the channel electrodes of the filed effect transistors are cadmium selenide or cadmium telluride. The cadmium selenide or cadmium telluride contains fluorine ions to enhance the mobility. A non-oxygenated later is applied to the channel electrodes.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'affichage à écran plat. Ce dispositif d'affichage à écran plat comprend une matrice de diodes électroluminescentes qui sont pilotées par des circuits de transistor en couche mince à effet de champ, dans lesquels les électrodes de canal des transistors à effet de champ sont constituées à base de sélénide de cadmium ou de tellurure de cadmium. Le sélénide de cadmium ou la tellurure de cadmium contiennent des ions fluor pour améliorer la mobilité. Une couche non oxygénée est appliquée sur les électrodes de canal.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international