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Paramétrages

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1. WO2003008955 - PROCEDE DE SURVEILLANCE DE L'ELIMINATION D'OXYDES

Numéro de publication WO/2003/008955
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/021505
Date du dépôt international 09.07.2002
CIB
G01N 27/04 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
02en recherchant l'impédance
04en recherchant la résistance
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 27/041
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
02by investigating the impedance of the material
04by investigating resistance
041of a solid body
H01L 21/67253
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Y10S 438/934
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
438Semiconductor device manufacturing: process
934Sheet resistance, i.e. dopant parameters
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs
  • LI, Haojiang; US
  • DING, Peijun; US
  • RENGARAJAN, Suraj; US
Mandataires
  • TACKETT, Keith, M.; Moser, Patterson & Sherdian, LLP 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Données relatives à la priorité
09/908,82918.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MONITORING PROCESS FOR OXIDE REMOVAL
(FR) PROCEDE DE SURVEILLANCE DE L'ELIMINATION D'OXYDES
Abrégé
(EN)
Generally, a method for monitoring a process of removing native oxides from an at least partially exposed layer disposed on a substrate is provided. In one embodiment, a method for monitoring includes disposing the substrate in a process chamber, exposing the at least partially exposed layer to a reactive pre-clean process, removing the substrate from the process chamber and measuring a sheet resistance of the exposed layer. In another embodiment, a method includes disposing the substrate in a process chamber, exposing the at least partially exposed conductive layer to a reactive pre-clean process that comprises an oxide reduction step, removing the substrate from the process chamber, contacting the conductive layer with one or more contact members, measuring a sheet resistance of the exposed conductive layer between the contact members, and comparing the measured resistance to a known value.
(FR)
La présente invention concerne généralement un procédé de surveillance de l'élimination d'oxydes natifs d'une couche au moins partiellement exposée placée sur un substrat. Dans un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de surveillance selon lequel on place le substrat dans une chambre de traitement, on expose la couche au moins partiellement exposée à un processus de pré-nettoyage réactionnel, on enlève le substrat de la chambre de traitement et on mesure la résistance de couche de la couche exposée. Dans un autre mode de réalisation, le procédé consiste à placer le substrat dans une chambre de traitement, à exposer la couche conductrice au moins partiellement exposée à un processus de pré-nettoyage comprenant une étape de réduction des oxydes, à enlever le substrat de la chambre de traitement, à mettre en contact la couche conductrice avec un ou plusieurs éléments de contact, à mesurer la résistance de couche de la couche conductrice exposée entre les éléments de contact, et à comparer la résistance mesurée avec une valeur connue.
Également publié en tant que
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