Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003008675 - CHAMBRE DE TRAITEMENT DOTEE D'UN FOND AYANT DIFFERENTES SECTIONS ENTRAINEES EN ROTATION ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES DANS CETTE CHAMBRE DE TRAITEMENT

Numéro de publication WO/2003/008675
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/006294
Date du dépôt international 10.06.2002
CIB
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/458 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
458caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
C30B 25/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
12Porte-substrat ou supports
C30B 25/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
14Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
CPC
C23C 16/45563
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45563Gas nozzles
C23C 16/45574
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45563Gas nozzles
45574Nozzles for more than one gas
C23C 16/4584
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
458characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
4582Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
4583the substrate being supported substantially horizontally
4584the substrate being rotated
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 25/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Déposants
  • AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen, DE (AllExceptUS)
  • SCHWAMBERA, Markus [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • FRANKEN, Walter [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STRAUCH, Gerd [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • SCHWAMBERA, Markus; DE
  • FRANKEN, Walter; DE
  • STRAUCH, Gerd; DE
Mandataires
  • GRUNDMANN, Dirk ; Rieder & Partner Corneliusstrasse 45 42329 Wuppertal, DE
Données relatives à la priorité
101 33 914.312.07.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) PROZESSKAMMER MIT ABSCHNITTSWEISE UNTERSCHIEDLICH DREHANGETRIEBENEM BODEN UND SCHICHTABSCHEIDEVERFAHREN IN EINER DERARTIGEN PROZESSKAMMER
(EN) PROCESS CHAMBER WITH A BASE WITH SECTIONALLY DIFFERENT ROTATIONAL DRIVE AND LAYER DEPOSITION METHOD IN SUCH A PROCESS CHAMBER
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT DOTEE D'UN FOND AYANT DIFFERENTES SECTIONS ENTRAINEES EN ROTATION ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES DANS CETTE CHAMBRE DE TRAITEMENT
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf in einer Prozesskammer (1) auf drehangetriebenen Substrathaltern (2) aufliegenden Substraten, wobei die Substrathalter (2) um das Zentrum eines drehangetriebenen Substrahalterträgers angeordnet sind, welche Substrathalter (2) gemeinsam mit dem Substrathalterträger (3) einen Prozesskammerboden (4) bilden, dem eine Prozesskammerdecke (5) mit zentralem Gaseinlassorgan (6) gegenüberliegt, durch welches zusammen mit einem Trägergas ein oder mehrere gasförmige Ausgangsstoffe in eine im über einem beheizten Zentralbereich (4') des Prozesskammerbodens (4) angeordnete Zerlegungszone eingeleitet werden, die von einer Diffusionszone (4'') umgeben ist, aus welcher die im radial auswärts strömenden Trägergasstrom transportierten Zerlegungsprodukte zum Substrat gelangen. Um die Versorgung der Substrate mit Zerlegungsprodukten zu vergleichmäßigen, schlägt die Erfindung vor, dass der Zentralbereich (4') des Prozesskammerbodens (4) relativ zum Substrathalterträger (3) und zur Prozesskammerdecke (5) bzw. zum Gaseinlassorgan (6) drehangetrieben wird.
(EN)
The invention relates to a method for the deposition of, in particular crystalline layers on a substrate lying on rotating substrate holders (2) in a process chamber (1). The substrate holders (2) are arranged around the centre of a rotating substrate holder support. Said substrate holder support (3) forms a process chamber base (4) together with the substrate holders (2), which is opposite a process chamber cover (5) with a central gas inlet device (6), through which, together with a carrier gas, one or several gaseous starting materials may be introduced into a decomposition zone, arranged above a heated central region (4') of the process chamber floor (4), surrounded by a diffusion zone (4''), from which the decomposition products are transported radially outwards in the carrier gas stream to the substrate. According to the invention, the supply of decomposition products to the substrate may be equilibrated, whereby the central region (4') of the process chamber base (4) is rotated relative to the substrate holder support (3) and to the process chamber cover (5) or the gas inlet device (6).
(FR)
L'invention concerne un procédé de dépôt notamment de couches cristallines sur des substrats posés sur des porte-substrats (2) qui sont entraînés en rotation et placés dans une chambre de traitement (1). Les porte-substrats (2) sont disposés autour du centre d'un support de porte-substrats entraîné en rotation. Ces porte-substrats (2) et les supports (3) constituent un fond (4) au-dessus duquel se trouve un couvercle (5) doté d'un organe central d'admission de gaz (6). Cet organe central permet d'introduite simultanément au gaz porteur au moins une matière de départ gazeuse dans une zone de décomposition située au-dessus d'une région centrale (4') chauffée du fond de chambre de traitement (4). Cette zone de décomposition est entourée d'une zone de diffusion (4'') de laquelle les produits de décomposition atteignent le substrat en lors de leur transport dans le flux de gaz porteur qui s'écoule vers l'extérieur. Pour uniformiser les produits de décomposition cédés aux substrats, la zone centrale (4') du fond de la chambre de processus (4) est entraînée en rotation par rapport au support (3) et au plafond (5) ou à l'organe d'admission de gaz (6).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international