Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003008658 - CIBLE DE PULVERISATION D'UN CORPS FRITTE ITO SERVANT A LA FORMATION D'UN FILM HAUTE RESISTANCE ET PROCEDE DE FABRICATION

Considéré comme nul:  15.05.2003
Numéro de publication WO/2003/008658
Date de publication 30.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/003250
Date du dépôt international 01.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.01.2003
CIB
C04B 35/457 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
04CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
BCHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01à base d'oxydes
453à base d'oxydes de zinc, d'étain ou de bismuth ou de leurs solutions solides avec d'autres oxydes, p.ex. zincates, stannates ou bismuthates
457à base d'oxydes d'étain ou de stannates
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C04B 2235/3286
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3286Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
C04B 2235/77
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
74Physical characteristics
77Density
C04B 2235/96
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
96Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
C04B 35/457
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
35Shaped ceramic products characterised by their composition
01based on oxide ceramics
453based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
457based on tin oxides or stannates
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Déposants
  • NIKKO MATERIALS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome Minato-ku, Tokyo 105-8407, JP (AllExceptUS)
  • NAKASHIMA, Koichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KUMAHARA, Yoshikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • NAKASHIMA, Koichi; JP
  • KUMAHARA, Yoshikazu; JP
Mandataires
  • OGOSHI, Isamu; OGOSHI International Patent Office Toranomon 9 Mori Bldg. 3F 2-2, Atago 1-Chome Minato-ku, Tokyo 105-0002, JP
Données relatives à la priorité
2001-21749818.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ITO SINTERED BODY SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH−RESISTANCE FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) CIBLE DE PULVERISATION D'UN CORPS FRITTE ITO SERVANT A LA FORMATION D'UN FILM HAUTE RESISTANCE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
An ITO sintered body sputtering target characterized by containing 20 to 50 wt% of tin oxide and its manufacturing method. The ITO sintered body sputtering target is useful to form a high−resistance transparent conductive film, especially a transparent conductive film used for determining a position on the screen of, e.g., a resistance−film touch−panel device and having a high surface resistivity of 300 to 1000 Ω/□.
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation d'un corps fritté ITO, se caractérisant par un contenu de 20 à 50 % en poids d'oxyde d'étain, et son procédé de fabrication. La cible de pulvérisation d'un corps fritté ITO sert à former un film conducteur transparent haute résistance, et en particulier un film conducteur transparent utilisé pour déterminer une position sur l'écran, par exemple, d'un dispositif à écran tactile à film résistant, et présentant une résistivité de surface élevée de 300 à 1000 $g(V)/$m(c).
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international