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Paramétrages

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1. WO2003007477 - CIRCUIT CONVERTISSEUR DE NIVEAU

Numéro de publication WO/2003/007477
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/007026
Date du dépôt international 10.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 12.12.2002
CIB
H03K 3/356 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
3Circuits pour produire des impulsions électriques; Circuits monostables, bistables ou multistables
02Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions
353par l'utilisation, comme éléments actifs, de transistors à effet de champ avec réaction positive interne ou externe
356Circuits bistables
H03K 19/0185 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
0185utilisant uniquement des transistors à effet de champ
CPC
G09G 2310/0289
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
2310Command of the display device
02Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
0264Details of driving circuits
0289Details of voltage level shifters arranged for use in a driving circuit
G09G 3/3208
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
22using controlled light sources
30using electroluminescent panels
32semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
3208organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
G09G 3/3648
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
3Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
20for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix ; no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
34by control of light from an independent source
36using liquid crystals
3611Control of matrices with row and column drivers
3648using an active matrix
H03K 19/018521
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
0185using field effect transistors only
018507Interface arrangements
018521of complementary type, e.g. CMOS
H03K 19/01855
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0175Coupling arrangements; Interface arrangements
0185using field effect transistors only
018507Interface arrangements
01855synchronous, i.e. using clock signals
H03K 3/356113
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
3Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
353by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
356Bistable circuits
356104using complementary field-effect transistors
356113using additional transistors in the input circuit
Déposants
  • SANYO ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 2-5-5, Keihan-Hondor Moriguchi-shi, Osaka 570-0083, JP (AllExceptUS)
  • NOGUCHI, Yukihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MATSUMOTO, Shoichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • NOGUCHI, Yukihiro; JP
  • MATSUMOTO, Shoichiro; JP
Mandataires
  • MORISHITA, Sakaki; 2-17-16 Ebisu-Nishi Shibuya-ku, Tokyo 150-0021, JP
Données relatives à la priorité
2001-21291312.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LEVEL CONVERTER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT CONVERTISSEUR DE NIVEAU
Abrégé
(EN)
The source of a p−channel MOSFET (11) of a level converter circuit (101) is connected to a power supply terminal receiving a power supply potential VDD. The drain thereof is connected to an output node (NO). The gate thereof is connected to an input node (I2). The source of an n−channel MOSFET (12) is connected to an input node (I1). The drain thereof is connected to the output node (NO). The gate thereof is connected to the power supply terminal receiving the power supply potential VDD. Input signals CLK1, ClK2 complementarily change. The potential difference between the high level and low level is smaller than the potential difference between the power supply potential VDD and the ground potential.
(FR)
La source d'un transistor MOS à effet de champ (11) à canal p d'un circuit convertisseur de niveau (101) est connectée à une borne d'alimentation en puissance recevant un potentiel de puissance d'alimentation (VDD). Le drain dudit transistor est connecté à un noeud de sortie (NO). La grille dudit transistor est connectée à un noeud d'entrée (I1). La source d'un transistor MOS à effet de champ (12) à canal n est connectée à un noeud d'entrée (I1). Le drain dudit transistor est connecté au noeud de sortie (NO). La grille dudit transistor est connectée à la borne d'alimentation en puissance recevant le potentiel de puissance d'alimentation (VDD). Des signaux d'entrée (CLK1, CLK2) changent de manière complémentaire. La différence de potentiel entre le haut niveau et le bas niveau est inférieure à la différence de potentiel entre le potentiel de puissance d'alimentation (VDD) et le potentiel de masse.
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