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1. WO2003007445 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A POINTS QUANTIQUES

Numéro de publication WO/2003/007445
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006980
Date du dépôt international 10.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.07.2002
CIB
H01S 5/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
12le résonateur ayant une structure périodique, p.ex. dans des lasers à rétroaction répartie
H01S 5/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01S 5/1228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
12the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feed-back [DFB] lasers
1228DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
H01S 5/341
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
341Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
H01S 5/3412
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
341Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
3412quantum box or quantum dash
Déposants
  • NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
  • SAITO, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • SAITO, Hideaki; JP
Mandataires
  • KANEDA, Nobuyuki ; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP
Données relatives à la priorité
2001-20920810.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT⋅DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A POINTS QUANTIQUES
Abrégé
(EN)
A p−type semiconductor barrier layer is provided in the vicinity of undoped quantum dots, and holes in the p−type semiconductor barrier layer are injected in advance into the ground level of a quantum dot valence band, whereby the threshold electron density of conductive electrons at the conductive band ground level of quantum dots is decreased to thereby accelerate an electron relaxation process from an excitation level to a ground level in that conduction band.
(FR)
Une couche barrière pour semi-conducteur du type p est prévue au voisinage de points quantiques non dopés, et des orifices de la couche barrière de semi-conducteur du type p sont injectés au préalable dans le niveau fondamental d'une bande de valence de points quantiques, de sorte que la densité électronique de seuil des électrons conducteurs au niveau fondamental de la bande conductrice des points quantiques est réduite pour accélérer ainsi un processus de relaxation électronique d'un état d'excitation à un niveau fondamental dans ladite bande de conduction.
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