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Paramétrages

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1. WO2003007444 - LASER EN ZIGZAG A SEMI-CONDUCTEUR ET AMPLIFICATEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2003/007444
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/022228
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 12.02.2003
CIB
H01S 5/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
H01S 5/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
18Lasers à émission de surface
H01S 5/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
50Structures amplificatrices non prévues dans les groupes H01S5/02-H01S5/30108
CPC
H01S 5/041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
041Optical pumping
H01S 5/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
H01S 5/1082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1082with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
H01S 5/1085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
1082with a special facet structure, e.g. structured, non planar, oblique
1085Oblique facets
H01S 5/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
H01S 5/2004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
Déposants
  • TEXTRON SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 201 Lowell Street Wilmington, MA 01887, US
Inventeurs
  • KLIMEK, Daniel, E.; US
  • MANDL, Alexander, E.; US
Mandataires
  • ANASTASI, Salvatore ; Barley Snyder 5 Westlakes Suite 275 1000 Westlakes Drive Berwyn, PA 19312, US
Représentant commun
  • TEXTRON SYSTEMS CORPORATION; Legal Department 201 Lowell Street Wilmington, MA 01887, US
Données relatives à la priorité
60/304,97212.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR ZIGZAG LASER AND OPTICAL AMPLIFIER
(FR) LASER EN ZIGZAG A SEMI-CONDUCTEUR ET AMPLIFICATEUR OPTIQUE
Abrégé
(EN)
A semiconductor structure includes a first cladding layer (12), a second cladding layer (13), and one or more semiconductor active regions (11). An optical resonator (20) is formed by the inclusion of a first mirror and a second mirror at opposite ends of the structure with respect to the optical axis. One or more angled facets (30, 31) provide the semiconductor structure with optical coupling. The associated beam path along an optical axis within the structure (18) is a zigzag path, which is substantially independent of the height of the active region. A signal generator and an optical amplifier max be formed with the structure. An optical modulator, multiplexer, and demultiplexer may also use the structure.
(FR)
L'invention concerne une structure à semi-conducteur comprenant une première couche de gaine (12), une deuxième couche de gaine (13), et une ou plusieurs régions (11) actives à semi-conducteur. Un résonateur optique (20) est formé par inclusion d'un premier miroir et d'un second miroir aux extrémités opposées de la structure par rapport à l'axe optique. Une ou plusieurs facettes à angles (30), (31) fournit/fournissent à la structure à semi-conducteur un couplage électronique. Le trajet de faisceaux associé, situé le long d'un axe optique à l'intérieur de la structure (18), est un trajet en zigzag, qui est sensiblement indépendant de la hauteur de la région active. Un générateur de signal et un amplificateur optique peuvent être formés au moyen de la structure. On peut utiliser en outre ladite structure pour un modulateur, un multiplexeur, et un démultiplexeur optiques.
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