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Paramétrages

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1. WO2003007382 - PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT A SEMI-CONDUCTEUR AINSI OBTENU

Numéro de publication WO/2003/007382
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006437
Date du dépôt international 26.06.2002
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/7624
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome Minato-Ku, Tokyo 107-8481, JP (AllExceptUS)
  • YUASA, Mitsuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • YUASA, Mitsuhiro; JP
Mandataires
  • ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 150-6032, JP
Données relatives à la priorité
2001-20787009.07.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT A SEMI-CONDUCTEUR AINSI OBTENU
Abrégé
(EN)
A method for producing a semiconductor substrate having a sufficient planarity, and a semiconductor substrate. As a material for producing the semiconductor substrate, an SOI substrate having an SiO2 film (14) and an Si film (16), as a BOX layer, formed on an Si substrate is employed. The majority of the Si substrate is polished using a grinder (Si substrate polishing process) and then the Si substrate is etched (Si substrate etching process). Only the residual part of the Si substrate is removed while leaving the SiO2 film (14) by the selection ratio of etching thus obtaining a semiconductor substrate (26) where the SiO2 film (14) becoming the rear side is exposed.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat à semi-conducteur d'une planéité suffisante, et un substrat à semi-conducteur obtenu par ce procédé. Comme matériau de fabrication, on utilise un substrat de SOI comportant un film de SiO2 (14) et un film de Si (16), comme couche BOX, formé sur un substrat de Si. La majeure partie du substrat en Si est polie au moyen d'une meule, puis ce substrat est gravé. Seule la partie residuelle du substrat en Si est retirée, l'opération de gravage laissant le film de SiO2 en place, ce qui permet d'obtenir un substrat à semi-conducteur (26) sur lequel le film de SiO2, ou côté arrière, est exposé.
Également publié en tant que
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