Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003007381 - POLARISATION DYNAMIQUE A SEUIL A BASSE TENSION

Numéro de publication WO/2003/007381
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/IB2002/002476
Date du dépôt international 20.06.2002
CIB
H01L 27/07 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
07les composants ayant une région active en commun
CPC
H01L 27/0727
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
07the components having an active region in common
0705comprising components of the field effect type
0727in combination with diodes, or capacitors or resistors
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • PAULUS, Edward, J., F. [NL/NL]; NL (UsOnly)
  • JANSE, Johannes, Q. [NL/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • PAULUS, Edward, J., F.; NL
  • JANSE, Johannes, Q.; NL
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité
01202629.009.07.2001EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW VOLTAGE THRESHOLD DYNAMIC BIASING
(FR) POLARISATION DYNAMIQUE A SEUIL A BASSE TENSION
Abrégé
(EN)
A low voltage threshold semiconductor circuit comprising a first semiconductor component (6), a second semiconductor component (7), and a well (1), wherein the well (1) is connected between the first (6) and the second (7) component and wherein the first component (6) is connected as a diode between the well (1) and a first voltage (3), and the second component (7) is connected as a diode between the well (1) and a second voltage (5), so that the first component (6) automatically conducts when the first voltage (3) is higher than the second voltage (5) and the second component (7) automatically conducts when the second voltage (5) is higher than the first voltage (3), characterised in that the first (6) and the second (7) semiconductor components comprise Dynamic Threshold Metal Oxide Semiconductor Transistors (DTMOSTs). The well (1) may be connected to an external circuit power supply and is preferably an n-well at its low voltage side and is connected to the cathodes of each DTMOST has its gate connected to its drain and to the well (1) and the source of the first DTMOST is connected to the first voltage (3) and the source of the second is connected to the second voltage. A power switching comprising such a MOS circuit finds application in switching between main and backup supplies in portable telephones, clock chips and GPS receiver chips because it reduces static current consumption by eliminating parasite currents.
(FR)
L'invention concerne un circuit semi-conducteur à seuil à basse tension comportant un premier composant (6) semi-conducteur, un second composant (7) semi-conducteur (7) et un puits (1), dans lequel le puits (1) est connecté entre le premier (6) et le second (7) composants et dans lequel le premier composant (6) est connecté comme une diode entre le puits (1) et une première tension (3) et le second composant (7) est connecté comme une diode entre le puits (1) et une seconde tension (5). Ainsi, le premier composant (6) conduit automatiquement lorsque la première tension (3) est supérieure à la seconde tension (5) et le second composant (7) conduit automatiquement lorsque la seconde tension (5) est supérieure à la première tension (3). Le premier (6) et le second (7) composants semi-conducteurs sont dotés de Transistors Semi-conducteurs à Oxyde métallique à Seuil Dynamique (DTMOST). Le puits (1) peut se connecter à une source d'alimentation de circuit externe et sera de préférence un puits N de son côté basse tension et connecté aux cathodes de chaque DTMOST qui possède sa grille connectée à son drain et au puits (1) et la source du premier DTMOST est connectée à la première tension (3) et la source du second est connectée à la seconde tension. Une commutation d'énergie comportant un tel circuit MOS trouve son application en basculant des sources d'alimentations principales aux sources d'alimentation secondaires des téléphones portables, les microprocesseurs d'horloge et les microprocesseurs de récepteur GPS car cela réduit la consommation de courant statique tout en supprimant les courants parasites.
Également publié en tant que
EP2002738528
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international