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Paramétrages

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1. WO2003007356 - FABRICATION D'UN DISPOSITIF MOS PEU BRUYANT

Numéro de publication WO/2003/007356
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/SE2002/001380
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.02.2003
CIB
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/423 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
CPC
H01L 21/28211
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28158Making the insulator
28167on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
28211in a gaseous ambient using an oxygen or a water vapour, e.g. RTO, possibly through a layer
H01L 21/2822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
28008Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
28017the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
28158Making the insulator
2822with substrate doping, e.g. N, Ge, C implantation, before formation of the insulator
H01L 29/42368
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
4232with insulated gate
42364characterised by the insulating layer, e.g. thickness or uniformity
42368the thickness being non-uniform
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; Postfach 22 16 44 80506 München, DE (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • ARNBORG, Torkel [SE/SE]; SE (UsOnly)
  • JOHANSSON, Ted [SE/SE]; SE (UsOnly)
Inventeurs
  • ARNBORG, Torkel; SE
  • JOHANSSON, Ted; SE
Mandataires
  • BERGENSTRÅHLE & LINDVALL AB; P.O. Box 17704 S-118 93 Stockholm, SE
Données relatives à la priorité
0102526-113.07.2001SE
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MANUFACTURING OF A LOW-NOISE MOS DEVICE
(FR) FABRICATION D'UN DISPOSITIF MOS PEU BRUYANT
Abrégé
(EN)
In a method of fabricating an MOS transistor at the surface of a substrate a gate oxide layer (29) is produced and is given a dual thickness. A first oxide layer is produced over the surface of a substrate (21) by thermal oxidation and the first oxide layer is covered by a mask layer defining suitably located openings. A material accelerating or retarding the oxidation of the substrate is ion implanted through the first oxide layer in the openings, after which the mask is removed and the thermal oxidation is continued over the now exposed total surface of the first oxide layer. The material used for ion implanting can e.g. be an oxidation rate promoting material such as chloride and bromine. The manufacturing method is simple and adds little to presently used process flows for fabricating MOS devices. The dual thickness of the gate oxide gives the manufactured MOS device a low level of total noise generated when using the device for instance in RF-circuits, in particular in small-size devices.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS sur la surface d'un substrat consistant à produire une couche (29) d'oxyde de grille à laquelle on procure une double épaisseur. Une première couche d'oxyde est produite sur la surface d'un substrat (21) par oxydation thermique, puis cette première couche d'oxyde est recouverte d'une couche de masque définissant des ouvertures convenablement situées. Un matériau chargé d'accélérer ou de retarder l'oxydation du substrat est soumis à une implantation ionique à travers la première couche d'oxyde dans les ouvertures, après quoi le masque est retiré et l'oxydation thermique se poursuit sur l'intégralité de la surface de la première couche d'oxyde alors exposée. Le matériau servant à l'implantation ionique peut être, par exemple, un matériau favorisant la vitesse d'oxydation tel que le chlorure ou le brome. Ce procédé de fabrication est simple et apporte peu d'améliorations au procédé utilisé à l'heure actuelle pour fabriquer les dispositifs MOS. La double épaisseur de l'oxyde de grille confère toutefois au dispositif MOS fabriqué un niveau peu élevé de bruit global généré lors de l'utilisation du dispositif notamment dans des circuits RF et en particulier dans des dispositifs de petite taille.
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