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1. WO2003007355 - PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS POUR CIRCUITS INTEGRES ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR POURVU DESDITS CONTACTS

Numéro de publication WO/2003/007355
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/007507
Date du dépôt international 05.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.01.2003
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/8242 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8242Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAM)
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
CPC
H01L 21/76895
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76895Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
H01L 21/76897
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76897Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
H01L 27/10829
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10805with one-transistor one-capacitor memory cells
10829the capacitor being in a substrate trench
H01L 27/10888
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
108Dynamic random access memory structures
10844Multistep manufacturing methods
10847for structures comprising one transistor one-capacitor memory cells
10882with at least one step of making a data line
10888with at least one step of making a bit line contact
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • KRÖNKE, Matthias [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STAUB, Ralf [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • WANG, Kae-Horng [--/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • KRÖNKE, Matthias; DE
  • STAUB, Ralf; DE
  • WANG, Kae-Horng; DE
Mandataires
  • WILHELM, Jürgen ; Patentanwaltskanzlei Wilhelm & Beck Nymphenburger Strasse 139 80636 München, DE
Données relatives à la priorité
101 33 873.212.07.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KONTAKTEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT SOLCHEN KONTAKTEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF CONTACTS FOR INTEGRATED CIRCUITS AND SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH SAID CONTACTS
(FR) PROCEDE DE REALISATION DE CONTACTS POUR CIRCUITS INTEGRES ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR POURVU DESDITS CONTACTS
Abrégé
(DE)
Es werden einen (oder mehrere) Kontakte auf einem oder mehreren aktiven Bereichen einer Halbleiterscheibe, wobei auf den zu kontaktierenden aktiven Bereichen eine oder mehrere isolierte Steuerleitungen angeordnet sein können, erzeugt. Bei den Steuerleitungen kann es sich beispielsweise um Gateleitungen handeln. Das Halbleiterbauelement wird wie folgt hergestellt: Aufbringen einer Polysiliziumschicht auf die Halbleiterscheibe, Strukturieren der Polysiliziumschicht, um einen Polysiliziumkontakt über dem aktiven Bereich zu erzeugen, wobei der Polysiliziumkontakt die beiden Steuerleitungen zumindest zum Teil überdeckt, Aufbringen einer ersten Isolatorschicht auf die Halbleiterscheibe unter Einbettung des Polysiliziumkontakts, teilweises Abtragen der ersten Isolatorschicht unter Freilegung der Deckfläche des Polysiliziumkontakts und Aufbringen einer Metallschicht auf der Halbleiterscheibe zur elektrischen Kontaktierung des Polysiliziumkontakts.
(EN)
The invention relates to the production of one (or several) contacts on one or several active areas of a semiconductor disk, whereby one or several insulated control lines can be arranged on the active areas to be contacted. The control lines can, for example, be gate lines. The semiconductor element is produced in the following manner: a polysilicon layer is deposited on the semiconductor disk, the polysilicon layer is structured in order to produce a polysilicon contact over the active area, whereby the polysilicon contact covers the two control lines in an at least partial manner, a first insulator layer is applied to the semiconductor disk incorporating said polysilicon contact, the first insulator layer is partially removed to reveal the covering surface of the polysilicon contact and a metal layer is applied to the semiconductor disk for the electrical contacting of the polysilicon contact.
(FR)
L'invention concerne la réalisation d'un (ou de plusieurs) contact(s) sur une ou plusieurs zones actives d'une tranche, une ou plusieurs lignes de commande isolées, par exemple des contacts de grille, pouvant être agencées sur les zones actives à lier. Ce dispositif à semiconducteur est fabriqué selon un procédé consistant à appliquer une couche de polysilicium sur la tranche, à structurer cette couche de polysilicium pour réaliser un contact polysilicium sur la zone active, lequel contact recouvre au moins partiellement les deux lignes de commande, à appliquer une première couche isolante sur la tranche en enrobant le contact polysilicium, à enlever partiellement cette première couche isolante en dégageant la surface de recouvrement du contact polysilicium puis à appliquer une couche métallique sur ladite tranche pour la métallisation du contact polysilicium.
Également publié en tant que
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