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Paramétrages

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1. WO2003007341 - SOURCE DE RAYONNEMENT REGLABLE PRESENTANT UNE CONFIGURATION D'ILLUMINATION PLANAIRE A LONGUEUR D'ONDE V.U.V. DESTINEE AU TRAITEMENT DE PLAQUETTES A SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2003/007341
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/023235
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.02.2003
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70025
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70008Production of exposure light, i.e. light sources
70025by lasers
G03F 7/70575
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
70575Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength, matching of optical components to wavelength
H01L 21/67115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
67115mainly by radiation
H01L 21/67126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
Déposants
  • AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053, US
Inventeurs
  • JANOS, Alan; US
  • RICHARDSON, Daniel; US
Mandataires
  • ROBITAILLE, Denis; Axcelis Technologies, Inc. 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053, US
  • BURKE, Steven, D. ; R.G.C. Jenkins & Co. 26 Caxton Street London SW1H 0RJ, GB
Données relatives à la priorité
09/905,05812.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TUNABLE RADIATION SOURCE PROVIDING A PLANAR IRRADIATION PATTERN FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFERS
(FR) SOURCE DE RAYONNEMENT REGLABLE PRESENTANT UNE CONFIGURATION D'ILLUMINATION PLANAIRE A LONGUEUR D'ONDE V.U.V. DESTINEE AU TRAITEMENT DE PLAQUETTES A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A radiation source (10) constructed in accordance with the invention is particularly suited for use in processing semiconductor wafers. An exemplary embodiment of the invention includes a base electrode (30) having a two dimensional surface bounding one side of a radiation emitting region (35). An ionizable, excimer gas (35a) is present in the radiation emitting region. The excimer gas (35a), when energized, emits radiation in the UV region. A two dimensional dielectric radiation transmissive layer (34) bounds an opposite side of the radiation emitting region (35) and transmits radiation to a wafer treatment region. Disposed between the dielectric radiation transmissive layer (34) and a protective radiation transmissive window (36) is a two dimensional matrix or screen electrode (32) defining a plane generally parallel to the two dimensional surface of the base electrode (30) region. A power supply (33) coupled to the base and matrix electrodes (30, 32) to energize the electrodes (30, 32) and the eximer gas (35a) causing emission of UV radiation. The range of wavelengths transmitted to the wafer treatment region can be tuned by using a filter (190) disposed adjacent to the protective window (36) which functions to block transmission of selected wavelengths of emitted radiation.
(FR)
La source de rayonnement construite selon le procédé de l'invention convient particulièrement pour le traitement de plaquettes à semi-conducteurs. Une forme de réalisation de l'invention comprend une électrode de base présentant une surface bidimensionnelle bordant un côté d'une région d'émission de rayonnement. Un gaz excimère ionisable est présent dans la région d'émission de rayonnement. Le gaz excimère, lorsqu'il excité, émet un rayonnement dans les longueurs d'onde UV et/ou VUV. Une couche diélectrique bidimensionnelle perméable au rayonnement borde un côté opposé de la région d'émission de rayonnement et transmet le rayonnement à une région de traitement d'une plaquette. Une électrode matricielle ou de blindage bidimensionnelle disposée entre la couche diélectrique perméable au rayonnement et une fenêtre de protection perméable au rayonnement délimite un plan généralement parallèle à la surface bidimensionnelle de la région de l'électrode de base. Une source d'énergie est couplée à l'électrode de base et à l'électrode matricielle pour alimenter les électrodes et le gaz excimère provoquant l'émission du rayonnement UV et/ou VUV. La plage des longueurs d'onde transmises à la région de traitement de la plaquette peut être réglée au moyen d'un filtre disposé adjacent à la fenêtre de protection qui agit pour bloquer la transmission de longueurs d'onde choisies du rayonnement émis.
Également publié en tant que
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