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1. WO2003007326 - PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A LA PRODUCTION ET AU TRANSPORT D'IONS DE FAIBLE ENERGIE INDUITS PAR MICROJET DANS LE TRAITEMENT AU PLASMA

Numéro de publication WO/2003/007326
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/023232
Date du dépôt international 12.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.02.2003
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
321the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
H01J 37/32192
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32192Microwave generated discharge
Déposants
  • AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053, US
Inventeurs
  • SRIVASTAVA, Aseem; US
  • SAKTHIVEL, Palani; US
  • SAWIN, Herbert; US
Mandataires
  • ROBITAILLE, Denis; Axcelis Technologies, Inc. 55 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915-1053, US
  • BURKE, Steven, D.; R.G.C. Jenkins & Co. 26 Caxton Street London SW1H 0RJ, GB
Données relatives à la priorité
09/905,04313.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR MICRO-JET ENABLED, LOW ENERGY ION GENERATION AND TRANSPORT IN PLASMA PROCESSING
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A LA PRODUCTION ET AU TRANSPORT D'IONS DE FAIBLE ENERGIE INDUITS PAR MICROJET DANS LE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé
(EN)
A method for creating and transporting low-energy ions for use in plasma processing of a semiconductor wafer is disclosed. In an exemplary embodiment of the invention, the method includes generating plasma from a gas species to produce a plasma exhaust. The plasma exhaust is then introduced into a processing chamber containing the wafer. The ion content of the plasma exhaust is enhanced by activating a supplemental ion source as the plasma is introduced into the processing chamber, thereby creating a primary plasma discharge therein. Then, the primary plasma discharge is directed into a baffle plate assembly, thereby creating a secondary plasma discharge exiting the baffle plate assembly. The strength of an electric field exerted on ions contained in the secondary plasma discharge is reduced. In so doing, the reduced strength of the electric field causes the ions to bombard the wafer at an energy insufficient to cause damage to semiconductor devices formed on the wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé destiné à créer et à transporter des ions de faible énergie en vue de les utiliser dans un traitement au plasma d'une plaquette à semi-conducteur. Dans un mode de réalisation exemplaire, le procédé consiste à produire du plasma à partir d'espèces de gaz afin de produire une émission de plasma. Cette émission de plasma est ensuite introduite dans une chambre de traitement contenant la plaquette. La teneur en ions de l'émission de plasma est augmentée par activation d'une source d'ions supplémentaire à mesure que le plasma est introduit dans la chambre de traitement, créant ainsi une décharge de plasma primaire dans la chambre. Puis, cette décharge de plasma primaire est dirigée vers un ensemble déflecteur, créant ainsi une seconde décharge de plasma sortant dudit ensemble. L'intensité d'un champ électrique exercée sur les ions contenus dans la décharge de plasma secondaire est réduite. Ainsi, l'intensité réduite du champ électrique entraîne le bombardement de la plaquette par des ions avec une énergie insuffisante pour endommager les dispositifs à semi-conducteur formés sur cette plaquette.
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