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Paramétrages

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1. WO2003007045 - PROCEDE D'ELABORATION DE SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION

Numéro de publication WO/2003/007045
Date de publication 23.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/007017
Date du dépôt international 10.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 10.12.2002
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
G03F 7/70241
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70216Systems for imaging mask onto workpiece
70241Optical aspects of refractive systems
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/706
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
706Aberration measurement
G03F 7/70966
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
70958Optical materials and coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance
70966Birefringence
Déposants
  • NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331, JP
Inventeurs
  • FUJISHIMA, Youhei; JP
  • IKEZAWA, Hironori; JP
  • OZAWA, Toshihiko; JP
  • OMURA, Yasuhiro; JP
  • SUZUKI, Takeshi; JP
Mandataires
  • HASEGAWA, Yoshiki ; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061, JP
Données relatives à la priorité
2001-20883710.07.2001JP
2001-25780928.08.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROJECTION OPTICAL SYSTEM PRODUCTION METHOD
(FR) PROCEDE D'ELABORATION DE SYSTEME OPTIQUE DE PROJECTION
Abrégé
(EN)
A method for producing a projection optical system for focusing a light of a predetermined wavelength to form on a second plane a second image of a first image formed on a first plane. The optical system includes a refractive member made of at least one crystalline material of isometric system and having a transmittance to a light with a predetermined wavelength. The method comprises a designing step of acquiring predetermined design data, the designing step including a substep of determining the orientation of the crystallographic axis of a refractive member made of at least one crystalline material of isometric system while carrying out evaluation about a light having a first polarized component and a second polarized component different from the first one, a crystalline material preparing step for preparing the crystalline material, a crystal axis determining step of determining the crystal axis of the crystalline material, a refractive member forming step of forming the refractive member of predetermined shape from the crystalline material, and an assembling step of disposing the refractive member depending on the orientation of the crystallographic axis of the refractive member determined at the designing step.
(FR)
L'invention concerne un procédé relatif à l'élaboration d'un système optique de projection, pour concentrer la lumière, selon une longueur d'onde préétablie, de manière à former sur un second plan une seconde image à partir d'une première image représentée sur un premier plan. Le système optique comprend un élément de réfraction de système isométrique, au moins base d'un matériau cristallin, et présentant une transmittance par rapport à la lumière de longueur d'onde préétablie. Les étapes du procédé sont les suivantes: stade de conception consistant à acquérir des données de conception prédéterminées, avec un stade secondaire qui consiste à déterminer l'orientation de l'axe cristallographique de l'élément de réfraction susmentionné, tout en évaluant une lumière à première et seconde composantes polarisées différentes; préparation du matériau cristallin; détermination de l'axe cristallographique du matériau cristallin; élaboration de l'élément de réfraction de forme préétablie à partir de ce matériau cristallin; et assemblage consistant à placer l'élément de réfraction selon l'orientation de l'axe cristallographique déterminée précédemment.
Également publié en tant que
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