Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003005509 - MODULE LASER A SEMICONDUCTEUR, AMPLIFICATEUR DE LUMIERE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MODULE LASER A SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2003/005509
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006681
Date du dépôt international 02.07.2002
CIB
G02B 6/34 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
24Couplage de guides de lumière
26Moyens de couplage optique
34utilisant des prismes ou des réseaux
H01S 3/094 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
09Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
091utilisant le pompage optique
094par de la lumière cohérente
H01S 3/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
3Lasers, c. à d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, le visible ou l’ultraviolet
30utilisant des effets de diffusion, p.ex. l'effet Brillouin ou Raman stimulé
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01S 5/024 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024Dispositions pour le refroidissement
H01S 5/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
10Structure ou forme du résonateur optique
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
G02B 6/2786
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
26Optical coupling means
27with polarisation selective and adjusting means
2753characterised by their function or use, i.e. of the complete device
2786Reducing the polarisation degree, i.e. depolarisers, scramblers, unpolarised output
G02B 6/4201
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
42Coupling light guides with opto-electronic elements
4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
G02B 6/4204
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
42Coupling light guides with opto-electronic elements
4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4204the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
G02B 6/4237
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
42Coupling light guides with opto-electronic elements
4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4219Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
4236Fixing or mounting methods of the aligned elements
4237Welding
G02B 6/4248
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
24Coupling light guides
42Coupling light guides with opto-electronic elements
4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
4248Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
Déposants
  • FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD [JP/JP]; 2-6-1, MARUNOUCHI CHIYODA-KU, Tokyo 100-8322, JP (JP)
  • NAKAE, Masashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • AIKIYO, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KIMURA, Toshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • NAKAE, Masashi; JP
  • AIKIYO, Takeshi; JP
  • KIMURA, Toshio; JP
Mandataires
  • NAKAZAWA, Akihiko; 925, SILK BUILDING 1, YAMASHITA-CHO, NAKA-KU YOKOHAMA-SHI, Kanagawa 231-0023, JP
Données relatives à la priorité
2001-20151302.07.2001JP
2001-21726517.07.2001JP
2001-32570523.10.2001JP
2002-11997422.04.2002JP
2002-17511614.06.2002JP
2002-3325208.02.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LASER MODULE, LIGHT AMPLIFIER AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR LASER MODULE
(FR) MODULE LASER A SEMICONDUCTEUR, AMPLIFICATEUR DE LUMIERE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MODULE LASER A SEMICONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
A semiconductor laser module comprising a semiconductor laser element (2), a package (1) for housing the semiconductor laser element (2), a PBC (7) fixed in the package (1), for polarization−synthesizing two laser beams output from the element (2), a non−polarizing element (110) fixed in the package (1), for non−polarizing a synthesized light output from the PBC (7), and an optical fiber (8) for receiving a light beam output from the non−polarizing element (110).
(FR)
L'invention concerne un module laser à semi-conducteur comportant un élément laser à semiconducteur (2), un boîtier (1) destiné à loger ledit élément laser à semiconducteur (1), un combineur de faisceau de polarisation PBC (7) fixé dans le boîtier, pour la synthèse de polarisation de deux faisceaux laser produits en sortie par l'élément (2), un élément non polarisant (110) fixé dans le boîtier (1), pour la non polarisation de lumière synthétisée produite en sortie par le PBC (7), et une fibre optique (8) conçue pour recevoir un faisceau lumineux produit en sortie par l'élément non polarisant (110).
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international